- Код статьи
- 10.31857/S0033849424020083-1
- DOI
- 10.31857/S0033849424020083
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 69 / Номер выпуска 2
- Страницы
- 167-179
- Аннотация
- Представлен метод теоретического анализа развязок “вход-выход” и “гетеродин-выход” трех типов диодных преобразователей частоты: балансного, двойного балансного, тройного балансного. Для двух режимов работы гетеродина – “неинтенсивного” и “интенсивного” – получены зависимости развязки “вход-выход” балансного смесителя от нагрузочной проводимости и от амплитуды напряжения гетеродина. Проведен теоретический анализ и моделирование. Показано, что между расчетными результатами и результатами моделирования ошибка не превышает 3 дБ. Получены выражения для ошибок, вносимых технологическим разбросом параметров диодов, которые позволяют оценить предельно достижимые значения характеристик смесителей (коэффициента передачи и развязок по портам). Представлен метод анализа шумовых свойств смесителей, рассчитаны выходные шумовые спектры для каждого из элементов схем (входного сопротивления, диодов и выходного сопротивления), получены аналитические выражения коэффициентов шума. Теоретические оценки коэффициента шума подтверждаются результатами моделирования с точностью до 1 дБ.
- Ключевые слова
- диодные смесители метод узловых потенциалов передаточная функция коэффициент шума гетеродин балансная схема
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 14
Библиография
- 1. Korotkov A.S., Golovan O.A. // Radioelectronics and Communications Systems. 2022. V. 65. № 2. P. 81.
- 2. Henderson B. Microwave Mixer Technology and Applications. N. Y.: Artech House, 2013.
- 3. Аверина Л.И., Бобрешов А.М., Шапошникова Ж.В. // Вестн. Воронеж. гос. ун-та. Серия: Физика. Математика. 2011. № 1. С. 5.
- 4. Korotkov A., Golovan O. // 2021 Int. Symp. Signals, Circuits and Systems. Iasi. 15–16 Jul. 2021.N.Y.: IEEE, 2021. P. 9497452. https://doi.org/10.1109/ISSCS52333.2021.9497452
- 5. Roychowdhury J., Long D., Feldmann P. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1998. V. 33. № 3. P. 324.
- 6. Darabi H., Abidi A.A. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2015. V. 35. № 1. P. 15.
- 7. Nitsch J.B., Solovyeva E.B., Korovkin N.V., Scheibe H.-J. // IEEE Trans. 2008. V. EC-50. № 4. P. 887.
- 8. Головань О.А., Коротков А.С. // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. № 3. С. 190.
- 9. Vitee N., Ramiah H., Mak P.-I., Yin J., Martins R.P. // IEEE Trans. 2020. V. VLSI-28. № 3. P. 700.
- 10. Mollaalipour M., Miar-Naimi H. // IEEE Trans.2016. V. VLSI-24. №6. P. 2275.
- 11. Jiang J., Holburn D.M. // Proc. Europ. Conf. on Circuit Theory and Design. Antalya, 23–27 Aug. 2009. N.Y.: IEEE, 2009. P. 675.
