- Код статьи
- 10.31857/S0033849423020080-1
- DOI
- 10.31857/S0033849423020080
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 68 / Номер выпуска 3
- Страницы
- 295-304
- Аннотация
- Сделан переход от кусочно-непрерывных функций модели мемристора с переключением порогового типа к дифференцируемым функциям, описываемым единой формулой. Получены и численно решены системы уравнений для участков цепи, в которых мемристивное устройство включено последовательно с другими дискретными элементами – обычным резистором, диодом, катушкой индуктивности и конденсатором. Для случая последовательного соединения мемристора и резистора проведено сравнение расчетных данных с экспериментом. Подробно исследован случай последовательного соединения мемристора и полупроводникового диода. Изложены предположения, касающиеся математического описания и физической интерпретации влияния процесса формовки на мемристивную систему.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 17.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 8
Библиография
- 1. Chua L.O. // IEEE Trans. 1971. V. CT-18. № 5. P. 507.
- 2. Chua L.O., Kang S. // Proc. IEEE. 1976. V. 64. № 2. P. 209.
- 3. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. V. 453. P. 80.
- 4. Mikhaylov A., Pimashkin A., Pigareva Y. et al. // Frontiers in Neuroscience. 2020. V. 14. P. 358.
- 5. Xu W., Wang J., Yan X. // Frontiers in Nanotechnology. 2021. V. 3. P. 1.
- 6. Pershin Y.P., La Fontaine S., Di Ventra M. // Phys Rev. E. 2009. V. 80. P. 021926.
- 7. Joglekar Y.N., Wolf S.J. // Eur. J. Phys. 2009. V. 30. P. 661.
- 8. Mutlu R. // Turk. J. Elec. Eng. Comp. Sci. 2015. V. 23. P. 1219.
- 9. Pisarev A., Busygin A., Udovichenko S., Maevsky O. // Microelectronic Engineering. 2018. V. 198. P. 1.
- 10. Biolek Z., Di Ventra M., Pershin Y. V. // Radioengineering. 2013. V. 22. P. 945.
- 11. Удовиченко С.Ю., Писарев А.Д., Бусыгин А.Н., Бобылев А.Н. // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № 7–8. С. 466.
- 12. Emelyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin V.A. et al. // Microelectronic Engineering. 2019. V. 215. P. 110988.
- 13. Upadhyay N.K., Sun W., Lin P. et al. // Adv. Electron. Mater. 2020. V. 6. № 5. P. 1901411.
- 14. Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. et al. // Intern. J. Nanotechnology. 2017. V. 14. № 7/8. P. 604.
- 15. Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Pershin Y.P. // IEEE Trans. 2022. V. CS-II-69. №3. P. 1802.
- 16. Biolek Z., Biolek D., Biolkova V. // Radioengineering. 2009. V. 18. P. 210.
- 17. Kvatinsky S., Friedman E. G., Kolodny A. et al. // IEEE Trans. 2013. V. CS-I-60. № 1. P. 211.
- 18. Yakopcic C., Taha T. M., Subramanyam G. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2011. V. 32. № 10. P. 1436.
- 19. Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Novikov A.S. et al. // Chaos, Solitons and Fractals. 2022. V. 156. P. 111810.
- 20. Banwell T.C., Jayakumar A. // Electronics Lett. 2000. V. 36. № 4. P. 291.
- 21. Дубинов А.Е., Дубинова И.Д., Сайков С.К. W-функция Ламберта и ее применение в математических задачах физики. Саров: РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2006.
- 22. Zhevnenko D., Meshchaninov F., Kozhevnikov V. et al. // Chaos, Solitons & Fractals. 2021. V. 142. P. 110382.
- 23. Meshchaninov F.P., Zhevnenko D.A., Kozhevnikov V.S. et al. // Micromachines. 2021. V. 12. № 10. P. 1201.
- 24. Zhevnenko D.A., Meshchaninov F.P., Kozhevnikov V.S. et al. // Micromachines. 2021. V. 12. № 10. P. 1220.
- 25. Ярмаркин В.К., Шульман С.Г., Леманов В.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. № 10. С. 1767.
- 26. Ryu J.H., Hussain F., Mahata C. et al. // Appl. Surf. Sci. 2020. V. 529. P. 147167.
- 27. Guseinov D.V., Korolev D.S., Belov A.I. et al. // Model. Simul. Mater. Sci. Eng. 2020. V. 28. P. 015007.
