Везде

RAS PhysicsРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

  • ISSN (Print) 0033-8494
  • ISSN (Online) 3034-5901

(111)A-, (411)A-ORIENTED SUBSTRATES EFFICIENCY FOR LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL GROWTH OF (In,Ga)As PHOTOCONDUCTIVE STRUCTURES USED IN TERAHERTZ PULSES GENERATION

You can
PII
S3034590125080073-1
DOI
10.7868/S3034590125080073
Publication type
Article
Status
Published
Authors
G.B. Galiev
  • Affiliation: National Research Centre “Kurchatov Institute”
I.S. Vasil'evskii
  • Affiliation: National Research Nuclear University “MEPhI”
A.N. Vinichenko
  • Affiliation: National Research Nuclear University “MEPhI”
E.A. Klimov
  • Affiliation:
    National Research Centre “Kurchatov Institute”
    JSC Orion R&P Association
A.N. Klochkov
  • Affiliation: National Research Nuclear University “MEPhI”
S.S. Pushkarev
  • Affiliation:
    National Research Centre “Kurchatov Institute”
    Moscow Institute of Physics and Technology
A.L. Vasiliev
  • Affiliation:
    National Research Centre “Kurchatov Institute”
    Moscow Institute of Physics and Technology
I.N. Trunkin
  • Affiliation: National Research Centre “Kurchatov Institute”
P.M. Solyankin
  • Affiliation: National Research Centre “Kurchatov Institute”
A.P. Shkurinov
  • Affiliation: Lomonosov Moscow State University
A.M. Buryakov
  • Affiliation: MIREA – Russian Technological University
E.D. Mishina
  • Affiliation: MIREA – Russian Technological University
G.Kh. Kitaeva
  • Affiliation: Lomonosov Moscow State University
V.V. Kornienko
  • Affiliation: Lomonosov Moscow State University
K.A. Kuznetsov
  • Affiliation: Lomonosov Moscow State University
A.A. Leontyev
  • Affiliation: Lomonosov Moscow State University
Volume/ Edition
Volume 70 / Issue number 8
Pages
761-779
Abstract
In this article we have summarized the results of our research carried out since 2016 and devoted to single-layer and multilayer (In,Ga)As structures epitaxially grown at low temperatures on (111)A-oriented GaAs and (411)-oriented InP substrates, and the generation of THz oscillations by irradiating femtosecond optical pulses directly to the surface of these films or to a gap of photoconductive antennas manufactured on the surface of the films. Each of the films, in terms of its crystalline structure and THz generation efficiency, was compared with a film of similar composition grown on a GaAs or InP substrate with a standard surface orientation (100). It has been shown that films grown at low temperature on non-standard (111)A, (411)A substrates are saturated with extended defects (twins, stacking faults, low-angle boundaries of mosaic blocks) and are partially or completely polycrystalline, but this is not an obstacle to more efficient generation of THz oscillations compared to similar films on standard substrates (100), which are less defective and provide significantly higher electron mobility.
Keywords
поверхность (111)А поверхность (411)А низкотемпературный GaAs низкотемпературный InGaAs молекулярно-лучевая эпитаксия фотопроводящая антенна терагерцевое излучение терагерцевая спектроскопия с временным разрешением точечный антиструктурный дефект время жизни фотоэлектронов фемтосекундный лазер амфотерная примесь дырочная проводимость дефекты упаковки дефекты двойникования малоугловые границы мозаичный монокристалл поликристаллические зерна
Date of publication
01.08.2025
Year of publication
2025
Number of purchasers
0
Views
43

References

  1. 1. Yanze Xie. Morphology of InGaAs Multilayer Nanostructure on GaAs High-Index Surfaces. Graduate Theses and Dissertations. Fayetteville: Univ. Arkansas, 2009. 70 p. https://scholarworks.uark.edu/etd/46
  2. 2. Missous M., O'Hagan S. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. № 7. P. 3396.
  3. 3. Liu X., Prasad A., Chen W.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. № 23. P. 3002.
  4. 4. Liu X., Prasad A., Nishio J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. № 2. P. 279.
  5. 5. Krotkus A., Bertulis K., Dapkus L. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. № 21. P. 3336.
  6. 6. Haiml M., Siegner U., Morier-Genoud F. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. № 9. P. 1269.
  7. 7. Woolf D.A., Sobiesierski Z., Westwood D.I., Williams R.H. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. №10. P. 4908. https://doi.org/10.1063/1.350638
  8. 8. Paves L., Piazza F., Henini M., Harrison I. // Semiconductors Sci. Technol. B. 1993. V. 8. № 2. P. 167.
  9. 9. Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Слепнев Ю.В. и др. // ЖТФ. 1999. T. 69. № 7. C. 68.
  10. 10. Sadao Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2009.
  11. 11. Baker C., Gregory I.S., Tribe W.R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 21. P. 4965. https://doi.org/10.1063/1.1824179
  12. 12. Takazato A., Kamakura M., Matsui T., et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. №1. P. 011102. https://doi.org/10.1063/1.2754370
  13. 13. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н. и др. Материал для фотопроводящих антенн. Патент РФ № 2610222. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 4 от 10.02.2017.
  14. 14. Галиев Г.Б., Есаулков М.Н., Климов Е.А. и и др. // Тез. докл. XIII Российской конф. по физике полупроводников. Екатеринбург, 2–6 окт. 2017. Екатеринбург: ИФМ им. Михеева УрО РАН, 2017. С. 340.
  15. 15. Klimov E., Kochkov A., Solyankin P. et al. // Int. J. Modern Phys. B. 2024. V. 38. №28. P. 2450378. https://doi.org/10.1142/S0217979224503788
  16. 16. Lilienal-Weber Z., Swider W., Yu K.M., et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. №19. P. 2153.
  17. 17. Галиев Г.Б., Каимов Е.А., Грехов М.М. и др. // ФТП. 2016. T. 50. № 2. C. 195.
  18. 18. Галиев Г.Б., Каимов Е.А., Васильев А.Л. и др. // Кристаллография. 2017. T. 62. № 1. C. 77.
  19. 19. Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Буряков А.М. и др. // ФТП. 2017. T. 51. № 4. C. 529.
  20. 20. Галиев Г.Б., Буряков А.М., Билык В.Р. и др. // Нано-и микросистемная техника. 2017. T. 19. № 9. C. 515. https://doi.org/10.17587/nmst.19.515-526
  21. 21. Klochkov A.N., Galiev G.B., Klimov E.A., Pushkarev S.S. // Phys. Stat. Sol. B. 2023. V. 260. № 2. Article No. 2200297. https://doi.org/10.1002/pssb.202020297
  22. 22. Галиев Г.Б., Каимов Е.А., Клочков А.Н. и др. // ФТП. 2018. T. 52. № 3. C. 395.
  23. 23. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П., Пушкарев С.С Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн. Патент РФ № 2624612. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 19 от 10.07.2017.
  24. 24. Галиев Г.Б., Трунькин И.Н., Васильев А.Л., и др. // Кристаллография. 2019. T. 64. № 2. C. 184.
  25. 25. Вuryakov A.M., Ivanov M.S., Khusyainov D.I. et al. // Annalen der. Physik. 2021. V. 533. № 8. Article No. 2100041. https://doi.org/10.1002/andp.202100041
  26. 26. Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д. и др. // Нано- и микросистемная техника. 2017. T. 19. № 2. С. 77. https://doi.org/10.17587/nmsi.19.77-84
  27. 27. Клочков А.Н., Климов Е.А., Солянкин П.М. и др. // Оптика и спектроскопия. 2020. T. 128. № 7. С. 1004. https://doi.org/10.21883/OS.2020.07.49574.17-20
  28. 28. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., и др. Материал на основе InGaAs на подложках InP для фотопроводящих антенн. Патент РФ № 2657306. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» №17 от 20.06.2018.
  29. 29. Міуagawa A., Yamamoto T., Ohnishi Y., et al. // J. Crystal Growth. 2002. V. 237–239. Р. 1434.
  30. 30. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С. и др. // Кристаллография. 2017. T. 62. № 4. С. 604.
  31. 31. Галиев Г.Б., Грехов М.М., Китаева Г.Х. и др. // ФТП. 2017. T. 51. № 3. С. 322.
  32. 32. Галиев Г.Б., Трунькин И.Н., Климов Е.А. и др. // Кристаллография. 2017. T. 62. № 6. С. 956.
  33. 33. Kuznetsov K., Klochkov A., Leontyev A. et al. // Electronics. 2020. V. 9. Article No. 495. https://doi.org/10.3390/electronics9030495
  34. 34. Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.Kh. et al. // Laser Physics Lett. 2018. V. 15. № 7. Р. 076201. https://doi.org/10.1088/1612-202X/aac7bb
  35. 35. Roux Jean-Francois, Coutaz Jean-Louis, Krotkus Arunas // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. № 17. Р. 2462. https://doi.org/10.1063/1.123881
QR
Translate

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Higher Attestation Commission

At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation

Scopus

Scientific Electronic Library