- Код статьи
- S3034590125080073-1
- DOI
- 10.7868/S3034590125080073
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 70 / Номер выпуска 8
- Страницы
- 761-779
- Аннотация
- Представлено обобщение результатов исследований, проводившихся, начиная с 2016 г., и посвященных эпитаксиальному выращиванию однослойных и многослойных структур (In,Ga)As на подложках GaAs (111)A и InP (411) при пониженной температуре и генерации импульсного излучения терагерцевого (ТГц) диапазона путем облучения фемтосекундными оптическими импульсами непосредственно поверхности этих пленок либо зазора фотопроводящих антенн, изготовленных на поверхности пленок. Каждая из пленок по своему кристаллическому совершенству и эффективности ТГц-генерации сравнивалась с пленкой аналогичного состава, выращенной на подложке GaAs либо InP со стандартной ориентацией поверхности (100). Показано, что пленки, выращенные в низкотемпературном режиме на нестандартных подложках (111)А, (411)А, насыщены протяженными дефектами (двойниками, дефектами упаковки, малоугловыми границами блоков мозаики), частично или полностью поликристалличны, однако это не является препятствием для более эффективной генерации ТГц-импульсов по сравнению с аналогичными пленками на стандартных подложках (100), которые менее дефектны и обеспечивают значительно бóльшую подвижность электронов.
- Ключевые слова
- поверхность (111)А поверхность (411)А низкотемпературный GaAs низкотемпературный InGaAs молекулярно-лучевая эпитаксия фотопроводящая антенна терагерцевое излучение терагерцевая спектроскопия с временным разрешением точечный антиструктурный дефект время жизни фотоэлектронов фемтосекундный лазер амфотерная примесь дырочная проводимость дефекты упаковки дефекты двойникования малоугловые границы мозаичный монокристалл поликристаллические зерна
- Дата публикации
- 01.08.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 41
Библиография
- 1. Yanze Xie. Morphology of InGaAs Multilayer Nanostructure on GaAs High-Index Surfaces. Graduate Theses and Dissertations. Fayetteville: Univ. Arkansas, 2009. 70 p. https://scholarworks.uark.edu/etd/46
- 2. Missous M., O'Hagan S. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. № 7. P. 3396.
- 3. Liu X., Prasad A., Chen W.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. № 23. P. 3002.
- 4. Liu X., Prasad A., Nishio J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. № 2. P. 279.
- 5. Krotkus A., Bertulis K., Dapkus L. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. № 21. P. 3336.
- 6. Haiml M., Siegner U., Morier-Genoud F. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. № 9. P. 1269.
- 7. Woolf D.A., Sobiesierski Z., Westwood D.I., Williams R.H. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. №10. P. 4908. https://doi.org/10.1063/1.350638
- 8. Paves L., Piazza F., Henini M., Harrison I. // Semiconductors Sci. Technol. B. 1993. V. 8. № 2. P. 167.
- 9. Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Слепнев Ю.В. и др. // ЖТФ. 1999. T. 69. № 7. C. 68.
- 10. Sadao Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2009.
- 11. Baker C., Gregory I.S., Tribe W.R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 21. P. 4965. https://doi.org/10.1063/1.1824179
- 12. Takazato A., Kamakura M., Matsui T., et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. №1. P. 011102. https://doi.org/10.1063/1.2754370
- 13. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н. и др. Материал для фотопроводящих антенн. Патент РФ № 2610222. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 4 от 10.02.2017.
- 14. Галиев Г.Б., Есаулков М.Н., Климов Е.А. и и др. // Тез. докл. XIII Российской конф. по физике полупроводников. Екатеринбург, 2–6 окт. 2017. Екатеринбург: ИФМ им. Михеева УрО РАН, 2017. С. 340.
- 15. Klimov E., Kochkov A., Solyankin P. et al. // Int. J. Modern Phys. B. 2024. V. 38. №28. P. 2450378. https://doi.org/10.1142/S0217979224503788
- 16. Lilienal-Weber Z., Swider W., Yu K.M., et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. №19. P. 2153.
- 17. Галиев Г.Б., Каимов Е.А., Грехов М.М. и др. // ФТП. 2016. T. 50. № 2. C. 195.
- 18. Галиев Г.Б., Каимов Е.А., Васильев А.Л. и др. // Кристаллография. 2017. T. 62. № 1. C. 77.
- 19. Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Буряков А.М. и др. // ФТП. 2017. T. 51. № 4. C. 529.
- 20. Галиев Г.Б., Буряков А.М., Билык В.Р. и др. // Нано-и микросистемная техника. 2017. T. 19. № 9. C. 515. https://doi.org/10.17587/nmst.19.515-526
- 21. Klochkov A.N., Galiev G.B., Klimov E.A., Pushkarev S.S. // Phys. Stat. Sol. B. 2023. V. 260. № 2. Article No. 2200297. https://doi.org/10.1002/pssb.202020297
- 22. Галиев Г.Б., Каимов Е.А., Клочков А.Н. и др. // ФТП. 2018. T. 52. № 3. C. 395.
- 23. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П., Пушкарев С.С Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн. Патент РФ № 2624612. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 19 от 10.07.2017.
- 24. Галиев Г.Б., Трунькин И.Н., Васильев А.Л., и др. // Кристаллография. 2019. T. 64. № 2. C. 184.
- 25. Вuryakov A.M., Ivanov M.S., Khusyainov D.I. et al. // Annalen der. Physik. 2021. V. 533. № 8. Article No. 2100041. https://doi.org/10.1002/andp.202100041
- 26. Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д. и др. // Нано- и микросистемная техника. 2017. T. 19. № 2. С. 77. https://doi.org/10.17587/nmsi.19.77-84
- 27. Клочков А.Н., Климов Е.А., Солянкин П.М. и др. // Оптика и спектроскопия. 2020. T. 128. № 7. С. 1004. https://doi.org/10.21883/OS.2020.07.49574.17-20
- 28. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., и др. Материал на основе InGaAs на подложках InP для фотопроводящих антенн. Патент РФ № 2657306. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» №17 от 20.06.2018.
- 29. Міуagawa A., Yamamoto T., Ohnishi Y., et al. // J. Crystal Growth. 2002. V. 237–239. Р. 1434.
- 30. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С. и др. // Кристаллография. 2017. T. 62. № 4. С. 604.
- 31. Галиев Г.Б., Грехов М.М., Китаева Г.Х. и др. // ФТП. 2017. T. 51. № 3. С. 322.
- 32. Галиев Г.Б., Трунькин И.Н., Климов Е.А. и др. // Кристаллография. 2017. T. 62. № 6. С. 956.
- 33. Kuznetsov K., Klochkov A., Leontyev A. et al. // Electronics. 2020. V. 9. Article No. 495. https://doi.org/10.3390/electronics9030495
- 34. Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.Kh. et al. // Laser Physics Lett. 2018. V. 15. № 7. Р. 076201. https://doi.org/10.1088/1612-202X/aac7bb
- 35. Roux Jean-Francois, Coutaz Jean-Louis, Krotkus Arunas // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. № 17. Р. 2462. https://doi.org/10.1063/1.123881
