- PII
- S3034590125070052-1
- DOI
- 10.7868/S3034590125070052
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 70 / Issue number 7
- Pages
- 664-671
- Abstract
- A review and study of the design options for the peripherals of RF LDMOS transistor fingers has been carried out. The study was carried out by means of 3D modeling in Sentaurus TCAD. As a result, the design variants allowing to provide the level of the drain-source breakdown voltage at the periphery not lower than in the working part of the finger were determined.
- Keywords
- мощные СВЧ транзисторы LDMOS-технология периферия транзисторных пальцев моделирование Sentaurus TCAD
- Date of publication
- 01.07.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 23
References
- 1. Алексеев Р.П., Цоморин А.Н., Черных М.И. // Электроника НТБ. 2020. Т. 00195. № 4. С. 98.
- 2. Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоморин А.Н., Куршев П.Л. // Электроника НТБ. 2023. Т. 00223. № 2. С. 92.
- 3. Theeuwen S.J.C.H., Mollee H., Heeres R., van Rijs F. // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conf. (EuMIC). Madrid. 23–25 Sept. N.Y.: IEEE, 2018. P. 162.
- 4. Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоморин А.Н., Куршев П.Л. // ФТП. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088.
- 5. Ткачев А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В. и др. // Вестник ВГТУ. 2010. Т. 6. № 5. С. 112.
- 6. Алексеев Р.П., Быкадорова Г.В., Бормонию Е.Н. // Энергия-XXI век. 2016. Т. 93. № 1. С. 68.
- 7. Бачурин В.В., Корнеев С.В., Крымко М.М. // Способ изготовления СВЧ LDMOS-транзисторов. Патент РФ на изобретение № 2498 448. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 31 от 10.11.2013.
- 8. Theeuwen S.J.C.H., van Rijs F., Hammes P.C.A. et al. // Electric Device Comprising an LDMOS Transistor. US Patent № 7521.768 B2. Publ. 21.04.2009.
- 9. De Boet J.A.M., Peuscher H.J., Bron P., Theeuwen S.J.C.H. // LDMOS Having a Field Plate. US Patent № 8.450802 B2. Publ. 28.05.2013.
- 10. Theeuwen S.J.C.H., Qureshi J.H. // IEEE Trans. 2012. V. VTT-60 № 6. P. 1755.
- 11. Chandler P.R. // High Voltage Semiconductor Device and Method of Fabrication. Patent US № 10886 39. Publ. 05.01.2021.
