- Код статьи
- S3034590125070052-1
- DOI
- 10.7868/S3034590125070052
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 70 / Номер выпуска 7
- Страницы
- 664-671
- Аннотация
- Проведен обзор и исследование вариантов конструктивного исполнения периферийных участков пальцев СВЧ LDMOS транзисторов. Исследование проводилось посредством 3D моделирования в САПР Sentaurus TCAD. Определены варианты конструкции, позволяющие обеспечить уровень напряжения пробоя сток-исток на периферии не ниже, чем в рабочей части пальца.
- Ключевые слова
- мощные СВЧ транзисторы LDMOS-технология периферия транзисторных пальцев моделирование Sentaurus TCAD
- Дата публикации
- 01.07.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 21
Библиография
- 1. Алексеев Р.П., Цоморин А.Н., Черных М.И. // Электроника НТБ. 2020. Т. 00195. № 4. С. 98.
- 2. Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоморин А.Н., Куршев П.Л. // Электроника НТБ. 2023. Т. 00223. № 2. С. 92.
- 3. Theeuwen S.J.C.H., Mollee H., Heeres R., van Rijs F. // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conf. (EuMIC). Madrid. 23–25 Sept. N.Y.: IEEE, 2018. P. 162.
- 4. Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоморин А.Н., Куршев П.Л. // ФТП. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088.
- 5. Ткачев А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В. и др. // Вестник ВГТУ. 2010. Т. 6. № 5. С. 112.
- 6. Алексеев Р.П., Быкадорова Г.В., Бормонию Е.Н. // Энергия-XXI век. 2016. Т. 93. № 1. С. 68.
- 7. Бачурин В.В., Корнеев С.В., Крымко М.М. // Способ изготовления СВЧ LDMOS-транзисторов. Патент РФ на изобретение № 2498 448. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 31 от 10.11.2013.
- 8. Theeuwen S.J.C.H., van Rijs F., Hammes P.C.A. et al. // Electric Device Comprising an LDMOS Transistor. US Patent № 7521.768 B2. Publ. 21.04.2009.
- 9. De Boet J.A.M., Peuscher H.J., Bron P., Theeuwen S.J.C.H. // LDMOS Having a Field Plate. US Patent № 8.450802 B2. Publ. 28.05.2013.
- 10. Theeuwen S.J.C.H., Qureshi J.H. // IEEE Trans. 2012. V. VTT-60 № 6. P. 1755.
- 11. Chandler P.R. // High Voltage Semiconductor Device and Method of Fabrication. Patent US № 10886 39. Publ. 05.01.2021.
