Статьи автора

Металл–полупроводник–металл-детекторы ZnS/GaP для ультрафиолетовой и видимой части спектра с электрически перестраиваемой спектральной фоточувствительностью

Номер выпуска 9 от 16.09.2025

Высококачественные эпитаксиальные слои ZnS выращены на полупроводниковых подложках GaP методом MOCVD. Изготовлены и исследованы фотодетекторы видимой и УФ-части спектра на основе встречно-штыревых Шоттки барьерных контактов металл–полупроводник–металл (МПМ) к полупроводниковой структуре ZnS/GaР. Детекторы демонстрируют низкие величины темновых токов. Установлена зависимость характеристик спектрального отклика детекторов от напряжения смещения. Найдено, что длинноволновая граница отклика ZnS/GaP МПМ-детекторов может сдвигаться с 355 до 450 нм при изменении напряжения смещения с 10 до 30 В. На длине волны максимальной фоточувствительности 450 нм ампер-ваттная чувствительность детектора составила 0.3 А/Вт при напряжении смещения 60 В, а квантовая эффективность 82%.

9 0

Эпитаксиальные пленки оксида никеля и диодные структуры на их основе

Номер выпуска 9 от 16.09.2025

Методом магнетронного распыления созданы эпитаксиальные пленки NiO на подложках LiNbO₃. Найдены оптимальные условия напыления пленок NiO для достижения их высокого кристаллического совершенства. Исследованы оптические свойства пленок NiO в диапазоне длин волн 250…800 нм, определена ширина запрещенной зоны оксида никеля. Изготовлены полупроводниковые диодные структуры в виде встречно-штыревых Шоттки барьерных контактов металл–полупроводник–металл к эпитаксиальной пленке NiO. Вольт-амперные характеристики диодных структур демонстрируют низкие темновые токи и возможность создания на их основе фотодетекторов УФ-части спектра с длинноволновой границей 340 нм.

14 0