- Код статьи
- 10.31857/S0033849424090124-1
- DOI
- 10.31857/S0033849424090124
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 69 / Номер выпуска 9
- Страницы
- 908-923
- Аннотация
- Методом магнетронного распыления созданы эпитаксиальные пленки NiO на подложках LiNbO3. Найдены оптимальные условия напыления пленок NiO для достижения их высокого кристаллического совершенства. Исследованы оптические свойства пленок NiO в диапазоне длин волн 250…800 нм, определена ширина запрещенной зоны оксида никеля. Изготовлены полупроводниковые диодные структуры в виде встречно-штыревых Шоттки барьерных контактов металл–полупроводник–металл к эпитаксиальной пленке NiO. Вольт-амперные характеристики диодных структур демонстрируют низкие темновые токи и возможность создания на их основе фотодетекторов УФ-части спектра с длинноволновой границей 340 нм.
- Ключевые слова
- эпитаксиальные пленки оптические свойства пленок полупроводниковые структуры барьер Шоттки фотодетектор темновой ток
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 16
Библиография
- 1. Gupta R.K., Hendi A.A., Cavas M. et al. // Phys. E. 2014. V. 56. P. 288.
- 2. Choi J.-M., Im S. // Appl. Surface Sci. 2005. V. 244. № 1-4. P. 435.
- 3. Steinebach H., Kannan S., Rieth L., Solzbacher F. // Sensors Actuators B: Chem. 2010. V. 151. P. 162.
- 4. Sato H., Minami T., Takata S., Yamada T. // Thin Solid Films. 1993. V. 236. № 1-2. P. 27.
- 5. Lou X.C., Zhao X.J., He X. // Solar Energy. 2009. V. 83.№ 12. P. 2103.
- 6. Shinde V.R., Gujar T.P., Lokhande C.D. et al. // Mater. Chem. Phys. 2006. V. 96. № 2-3. P. 326.
- 7. Park S.-W., Choi J.M., Kim E., Im S. // Appl. Surf. Sci. 2005. V. 244. № 1. P. 439.
- 8. Ohta H., Hirano M., Nakahara K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. № 5. P. 1029.
- 9. Kakehi Y., Nakao S., Satoh K., Kusaka T. // J. Crystal Growth. 2002. V. 237–239. Pt. 1. P. 591.
- 10. Lindahl E., Lu J., Ottosson M., Carlsson J.-O. // J. Crystal Growth. 2009. V. 311. № 16. P. 4082.
- 11. Wang Y., Ghanbaja J., Boulet P. et al. // Acta Materialia. 2019. V. 164. P. 648.
- 12. Ahmed A.A., Devarajan M., Afzal N. // Sensors and Actuators A: Phys. 2017. V. 262. P. 78.
- 13. Manjnatra K.N., Paul Sh. // Appl. Surface Sci. 2015. V. 352. P. 10.
- 14. Лузанов В.А. // РЭ. 2020. Т. 65. № 12. С. 1206.
- 15. Бланк Т.Б., Гольдберг Ю.А. // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 9. С. 1025.
- 16. Lin D.Y., Chen W.L., Lin W.C. et al. // Phys. Stat. Solidi. 2006. V. C-3. № 6. P. 1983.
- 17. Surender S., Probakaran K., Pradeep S. et al. // Opt. Mater. 2023. V. 136. Article No. 113462.
- 18. Tauc J. // Mater. Res. Bull. 1968. V. 3. № 1. P. 37.
- 19. Hadi A.A., Badr B.A., Mahdi R.O., Khashan K.S. // Optic-Int. J. Light and Electron Optics. 2020. V. 219. Article No. 165019.
- 20. Averine S.V., Chan Y.C., Lam Y.L. // Solid-State Electron. 2001. V. 45. № 3. P. 441.
- 21. Ahmed A.A., Hashim M.R., Abdalrheem R., Rashid M. // J. Alloys Comp. 2019. V. 798. P. 300.
