Статьи автора

Получение монокристаллических пленок оксида цинка на металлическом подслое

Номер выпуска 5 от 01.05.2023

Для увеличения эффективности работы устройств на основе пьезоэлектрических преобразователей из оксида цинка предложено использовать монокристаллические слои платины в качестве нижнего электрода. Получены эпитаксиальные монокристаллические пленки оксида цинка на металле. Показано, что данное сочетание слоев позволяет минимизировать рассогласование по параметрам решетки пленки и подложки, что существенно повышает качество полученной пьезоэлектрической пленки.

66 0

Полевые эффекты в электропроводности конденсаторных структур платина/алмазоподобный углерод/платина

Номер выпуска 8 от 01.08.2023

Исследованы полевые зависимости электропроводности структур Pt/DLC/Pt на базе тонких слоев высокоомного алмазоподобного углерода (DLC). Показано, что неомическое поведение проводимости структур описывается формулой Френкеля–Пула и связано с коррелированным распределением зарядов в условиях их перколяционного прыжкового транспорта между низкоомными областями DLC.

62 0

Магнетронное осаждение пленок гексаферрита бария из мишени стехиометрического состава

Номер выпуска 9 от 01.09.2023

Предложена методика получения пленок гексаферрита бария на сапфире с ориентацией (0001) методом высокочастотного магнетронного распыления стехиометрической мишени BaFe₁₂O₁₉ с последующим отжигом. Проведенные рентгеноструктурный анализ и рамановская спектрометрия показали возможность кристаллизации ориентированных пленок без использования коррекции состава мишени.

71 0

Влияние условий формирования пленок оксида гафния на структурные и электрофизические свойства гетероструктур

Номер выпуска 10 от 01.10.2023

Пленки оксида гафния (HfO₂) синтезированы на кремниевые подложки методом магнетронного распыления при различных технологических режимах. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO₂ и электрофизических свойств гетероструктур металл–диэлектрик–полупроводник (Ni–HfO₂–Si) на их основе.

70 0

Получение текстурированных пленок антимонида никеля

Номер выпуска 12 от 01.12.2023

Впервые показано, что при осаждении никеля на нагретую подложку из антимонида галлия возникает диффузия атомов сурьмы из подложки в растущую пленку и образуется пленка антимонида никеля, обладающая аксиальной текстурой с осью, перпендикулярной плоскости пленки вдоль направления (101).

67 0

Нелинейность вольт-амперных характеристик тонких пленок алмазоподобного углерода с примесью никеля

Номер выпуска 5 от 29.12.2025

При комнатной температуре исследованы вольт-амперные характеристики структур Pt/DLC/Pt на базе тонких (40 нм) пленок алмазоподобного углерода (DLC) с примесью Ni. Пленки синтезировали в разряде с полым никелевым катодом (РПК) из смеси аргона и пропана при одновременном осаждении DLC и никеля путем физического распыления материала катода. Концентрацию Ni (10, 20 и 40 ат.%) варьировали за счет изменения доли пропана (реакционного газа) в плазмообразующем газе (аргон) в диапазоне C₃H₈: Ar ~ 1:(1000…7000). Обнаруженное нелинейное поведение вольт-амперных характеристик структур – зависимости кондактанса G от поперечного напряжения V, G ∝ exp(A V^1/2) – согласуется с моделью Френкеля–Пула. Отмеченное уменьшение наклона зависимостей ln(G) от V^1/2 с увеличением содержания никеля объяснено ростом диэлектрической проницаемости DLC(Ni) при увеличении содержания Ni. Определен порог протекания, соответствующий концентрации Ni ~ 20 aт.%.

69 0

Эпитаксиальные пленки оксида никеля и диодные структуры на их основе

Номер выпуска 9 от 01.09.2024

Методом магнетронного распыления созданы эпитаксиальные пленки NiO на подложках LiNbO₃. Найдены оптимальные условия напыления пленок NiO для достижения их высокого кристаллического совершенства. Исследованы оптические свойства пленок NiO в диапазоне длин волн 250…800 нм, определена ширина запрещенной зоны оксида никеля. Изготовлены полупроводниковые диодные структуры в виде встречно-штыревых Шоттки барьерных контактов металл–полупроводник–металл к эпитаксиальной пленке NiO. Вольт-амперные характеристики диодных структур демонстрируют низкие темновые токи и возможность создания на их основе фотодетекторов УФ-части спектра с длинноволновой границей 340 нм.

88 0

Получение сегнетоэлектрических пленок оксида гафния методом магнетронного распыления

Номер выпуска 10 от 01.10.2024

Методом магнетронного распыления получены пленки оксида гафния, содержащие нецентросимметричную орторомбическую фазу, способную к спонтанной поляризации. Показано, что наличие бомбардировки отрицательными ионами кислорода способствует формированию орторомбической фазы.

68 0

О влиянии кислородной бомбардировки на структурообразование пленок оксида гафния

Номер выпуска 11 от 01.11.2024

Методом магнетронного реактивного распыления в условиях кислородной бомбардировки получены пленки оксида гафния. Структурный анализ показал, что присутствие кислородной бомбардировки в процессе роста пленки приводит к изменениям ближнего порядка в кристаллической структуре полученных пленок.

73 0

О причинах низкого критического тока в двойниковых пленочных высокотемпературных сверхпроводниках

Номер выпуска 1 от 01.01.2025

С помощью осцилляционной дифференциальной методики локального приближения исследовано влияние внутренних локальных и внешних полей размагничивания на величину плотности критического тока междвойниковых джозефсоновских слабых связей J_c высокотемпературных сверхпроводниковых образцов YBCO. В режимах охлаждения в нулевом поле и охлаждения в нулевом поле с накоплением потока для образцов с разными J_c и размерами двойников d измерены поля размагничивания образцов H_р1 и H_р2. Определены значения: d; термодинамических первых критических магнитных полей двойников H_тк1; полей размагничивания двойников H_рд; плотности внутридвойниковых эффективных критических токов J_{c эф}; критических токов пиннинга J_{c п} и экранирующих мейснеровских критических токов J_{c М}. Показано, что при полях H_тк1 двойники больших размеров скачкообразно «распадаются» на группу двойников меньших размеров с близкими размагничивающими факторами. Обнаружено, что увеличение J_{c М}, J_{c эф} и уменьшение d приводят с одной стороны к снижению J_c из-за увеличения поля размагничивания образца H_р и H_{р д}, созданного J_{c эф} и J_{c М}, с другой стороны – к усилению J_{c эф} и J_{c М} за счет уменьшения d.

14 0