- Код статьи
- 10.31857/S0033849424070084-1
- DOI
- 10.31857/S0033849424070084
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 69 / Номер выпуска 7
- Страницы
- 664-668
- Аннотация
- На базе феноменологической модели высокочастотного импеданса проанализированы форма полевых характеристик и значения емкостей и проводимостей, измеренных в опытах на структуре металл–диэлектрик–полупроводник с трехслойным изолирующим слоем из двух разных сегнетоэлектриков и окисла кремния. Показано, что типичная для структур с изолятором из сегнетоэлектриков или диэлектриков форма графиков характеристик импеданса с двумя плато в области отрицательных и положительных полевых напряжений не свидетельствует о диэлектрическом качестве изолирующего промежутка. Отмечено, что наличие двух плато на экспериментальных графиках высокочастотных вольт-фарадной характеристики и полевой зависимости проводимости данных структур не является доказательством реализации режимов глубокого обеднения и сильного обогащения в полупроводнике. Указано, что аномально большие, по сравнению с вычисленной на основе геометрической емкости изолирующего слоя, значения измеряемых составляющих импеданса могут быть связаны с высокой, близкой к металлической, проводимостью пленки окисла.
- Ключевые слова
- трехслойный изолирующий промежуток высокочастотные характеристики импеданса структуры металл-диэлектрик-полупроводник диэлектрическое качество изолирующего промежутка
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 16
Библиография
- 1. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / Под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат, 2011.
- 2. Liu Y., Yang B., Lan Sh. et al.// Appl. Phys. Lett. 2022. V. 120. № 15. P. 150501. doi.org/10.1063/5.0090739
- 3. Park J. Y., Yang K., Lee D. et al.// J. Appl. Phys. 2020. V. 128. № 24. P. 240904. doi.org/10.1063/5.0035542
- 4. Wang B., Huang W., Chi L. et al.// Chem. Rev. 2018. V. 118. № 11. P. 5690. doi.org/10.1021/acs.chemrev.8b00045
- 5. Belorusov D.A., Goldman E.I., Chucheva G.V. // Ceramics Int. 2021. V. 47. № 15. P. 21248. doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.04.129
- 6. Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. // ФТТ. 2021. Т. 63. № 11. С. 1887. doi.org/10.21883/FTT.2021.11.51592.154
- 7. Belorusov D.A., Goldman E.I., Chucheva G.V. // Ceramics Int. 2024. V. 50. № 6. P. 9678. doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.12.286
- 8. Черняев М.В., Горохов С.А., Патюков С.И., Резванов А.А. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2022. № 3. С. 31. doi.org/10.7868/S2410993222030058
- 9. Иванов М.С., Афанасьев М.С. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 7. С. 1259.
- 10. Киселев Д.А., Афанасьев М.С., Левашов С.А., Чучева Г.В. // ФТТ. 2015. Т. 57. № 6. С. 1134.
- 11. Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Чучева Г.В. // ПТЭ. 1997. № 6. С. 110.
- 12. Sze S.M., Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. N.Y.: John Willey @ Sons, 2007.
- 13. Nicollian E.H., Brews I.R. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. N.Y.: John Willey @ Sons, 1982.
