- Код статьи
- 10.31857/S0033849424070076-1
- DOI
- 10.31857/S0033849424070076
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 69 / Номер выпуска 7
- Страницы
- 656-663
- Аннотация
- Разработан алгоритм определения из экспериментальных полевых зависимостей высокочастотного импеданса кремниевых структур со сверхтонким (менее 5 нм) слоем SiО2 емкости изолирующего промежутка и концентрации легирующей примеси непосредственно у границы раздела Si–SiО2. Получены соотношения, позволяющие оценить предельные погрешности развитого подхода. Предложенный метод применен к экспериментальным характеристикам структуры металл–окисел–полупроводник с толщиной SiО2 4.2 нм. Показано, что разработанный алгоритм имеет достаточно высокие точность и доступность для использования при обработке данных высокочастотных измерений.
- Ключевые слова
- структуры металл-окисел-полупроводник сверхтонкий изолирующий промежуток высокочастотные вольт-фарадные характеристики
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 18
Библиография
- 1. Zwanenburg F.A., Dzurak A.S., Morello A. et al. // Rev. Mod. Phys. 2013. V. 85. № 3. P. 961. DOI:10.1103/RevModPhys.85.961.
- 2. Черняев М.В., Горохов С.А., Патюков С.И., Резванов А.А. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2022. № 3. С. 31. DOI: 10.7868/S2410993222030058.
- 3. Muller D.A., Sorsch T., Moccio S. et al. // Nature. 1999. V. 399. № 6738. P. 758. DOI: 10.1038/21602.
- 4. Sze S.M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. N.Y.: John Willey @ Sons, 2007.
- 5. Nicollian E.H., Brews I.R. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. N.Y.: John Willey @ Sons, 1982.
- 6. Гольдман Е.И., Кухарская Н.Ф., Левашов С.А., Чучева Г.В. // ФТП. 2019. Т. 53. № 1. С. 46. DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46985.8802.
- 7. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. С. 22.
- 8. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. С. 316.
- 9. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988.
- 10. Lonnum L.F., Johannessen J.S. // Electron. Lett. 1986. V. 22. № 9. P. 456. DOI: 10.1049/el:19860310
- 11. Kevin J.Y., Chenming H. // IEEE Trans. 1999. V. ED-46. № 7. P. 1500. DOI: 10.1109/16.772500
