Определение констант и построение полевых зависимостей параметров структур металл-окисел-полупроводник со сверхтонкими слоями окисла кремния по их экспериментальным высокочастотным вольт-фарадным характеристикам

Белорусов Д. А.; Гольдман Е. И.; Чучева Г. В.; Шушарин И. А.

doi:10.31857/S0033849424070076

Код статьи

10.31857/S0033849424070076-1

DOI

10.31857/S0033849424070076

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Белорусов Д. А.

Должность: Фрязинский филиал
Аффилиация: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Гольдман Е. И.

Должность: Фрязинский филиал
Аффилиация: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Чучева Г. В.

Должность: Фрязинский филиал
Аффилиация: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Шушарин И. А.

Должность: Фрязинский филиал
Аффилиация: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Том/ Выпуск

Том 69 / Номер выпуска 7

Страницы

656-663

Аннотация

Разработан алгоритм определения из экспериментальных полевых зависимостей высокочастотного импеданса кремниевых структур со сверхтонким (менее 5 нм) слоем SiО₂ емкости изолирующего промежутка и концентрации легирующей примеси непосредственно у границы раздела Si–SiО₂. Получены соотношения, позволяющие оценить предельные погрешности развитого подхода. Предложенный метод применен к экспериментальным характеристикам структуры металл–окисел–полупроводник с толщиной SiО₂4.2 нм. Показано, что разработанный алгоритм имеет достаточно высокие точность и доступность для использования при обработке данных высокочастотных измерений.

Ключевые слова

структуры металл-окисел-полупроводник сверхтонкий изолирующий промежуток высокочастотные вольт-фарадные характеристики

Дата публикации

01.07.2024

Год выхода

2024

Всего подписок

Всего просмотров

Библиография

1. Zwanenburg F.A., Dzurak A.S., Morello A. et al. // Rev. Mod. Phys. 2013. V. 85. № 3. P. 961. DOI:10.1103/RevModPhys.85.961.
2. Черняев М.В., Горохов С.А., Патюков С.И., Резванов А.А. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2022. № 3. С. 31. DOI: 10.7868/S2410993222030058.
3. Muller D.A., Sorsch T., Moccio S. et al. // Nature. 1999. V. 399. № 6738. P. 758. DOI: 10.1038/21602.
4. Sze S.M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. N.Y.: John Willey @ Sons, 2007.
5. Nicollian E.H., Brews I.R. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. N.Y.: John Willey @ Sons, 1982.
6. Гольдман Е.И., Кухарская Н.Ф., Левашов С.А., Чучева Г.В. // ФТП. 2019. Т. 53. № 1. С. 46. DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46985.8802.
7. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. С. 22.
8. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. С. 316.
9. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988.
10. Lonnum L.F., Johannessen J.S. // Electron. Lett. 1986. V. 22. № 9. P. 456. DOI: 10.1049/el:19860310
11. Kevin J.Y., Chenming H. // IEEE Trans. 1999. V. ED-46. № 7. P. 1500. DOI: 10.1109/16.772500

ГОСТ	Белорусов Д. , Гольдман Е. , Чучева Г. , Шушарин И. Определение констант и построение полевых зависимостей параметров структур металл-окисел-полупроводник со сверхтонкими слоями окисла кремния по их экспериментальным высокочастотным вольт-фарадным характеристикам // Радиотехника и электроника. – 2024. – T. 69. – Номер выпуска 7 C. 656-663 . URL: https://radiotechras.ru/10-31857-s0033849424070076-1/?version_id=111090. DOI: 10.31857/S0033849424070076
MLA	Belorusov, D. A, Chucheva, G. V, Goldman, E. I, Shusharin, I. A "Determination of constants and construction of field dependences of parameters of metal-oxide-semiconductor structures with ultrathin layers of silicon oxide based on their experimental high-frequency voltage-capacitance-characteristics." Journal of Communications Technology and Electronics. 69.7 (2024).:656-663. DOI: 10.31857/S0033849424070076
APA	Belorusov D., Chucheva G., Goldman E., Shusharin I. (2024). Determination of constants and construction of field dependences of parameters of metal-oxide-semiconductor structures with ultrathin layers of silicon oxide based on their experimental high-frequency voltage-capacitance-characteristics. Journal of Communications Technology and Electronics. vol. 69, no. 7, pp.656-663 DOI: 10.31857/S0033849424070076

ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

Вы можете

Библиография

Индексирование

ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

Вы можете

Библиография

Индексирование

Войти через