Влияние дополнительного диэлектрического слоя и заземленного экрана на высокочастотные характеристики элементов GаAs микросхем в 3D-интегрированных модулях

Шеерман Ф. И.

doi:10.31857/S0033849425010043

Код статьи

S0033849425010043-

DOI

10.31857/S0033849425010043

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Шеерман Ф. И.

Аффилиация: АО НИИМЭ

Том/ Выпуск

Том 70 / Номер выпуска 1

Страницы

27-36

Аннотация

С использованием электромагнитного моделирования в диапазоне частот до 40 ГГц исследовано влияние покрытия GaAs монолитных интегральных схем (МИС) диэлектрическим слоем бензоциклобутена и металлизированным слоем из меди на СВЧ-характеристики микрополосковой (МПЛ) и копланарной (КПЛ) линий передачи, а также симметрирующего трансформатора и полосового фильтра на базе МПЛ. Показано, что в GaAs МИС с указанным покрытием, используемых в 3D-интегрированных модулях, с точки зрения вариации характеристик предпочтительнее применять КПЛ.

Ключевые слова

МИС интерпозер микрополосковая линия копланарная линия симметрирующий трансформатор интегрированный модуль бензоциклобутен

Дата публикации

16.09.2025

Год выхода

2025

Всего подписок

Всего просмотров

Библиография

1. Воробьев С. // Электроника НТБ. 2018. № 7. С. 142.
2. Nguen C. Radio-frequency Integrated-circuit Engineering. New Jersey: John Wiley&Sons Inc., 2015.
3. Банков С.Е., Курушин А.А. Электродинамика для пользователей САПР СВЧ. М.: Солон-Экспресс, 2017.
4. Svensson С., Dermer G.E. // IEEE Trans. 2001. V. AP-24. № 2. P. 191.
5. Djordjevic A.R., Biljic R.M., Likar-Smiljanic V.D., Sarkar T.K. // IEEE Trans. 2001. V. EC-43. № 4. P. 662.
6. Huang С.H., Chen C.H., Horng T.S. // Proc. 2009 Asia Pacific Microwave Conf. Singapore. 7–10 Dec. N.Y.: IEEE, 2009. P. 1004.
7. Маттей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. М.: Связь, 1972.

ГОСТ	Шеерман Ф. Влияние дополнительного диэлектрического слоя и заземленного экрана на высокочастотные характеристики элементов GаAs микросхем в 3D-интегрированных модулях // Радиотехника и электроника. – 2025. – T. 70. – Номер выпуска 1 C. 27-36 . URL: https://radiotechras.ru/s0033849425010043-1/?version_id=108112. DOI: 10.31857/S0033849425010043
MLA	Sheyerman, F. I "Effect of additional dielectric layer and grounded shield on rf characteristics of GaAs microwave monolithic integrated circuit elements in 3D-integrated modules." Journal of Communications Technology and Electronics. 70.1 (2025).:27-36. DOI: 10.31857/S0033849425010043
APA	Sheyerman F. (2025). Effect of additional dielectric layer and grounded shield on rf characteristics of GaAs microwave monolithic integrated circuit elements in 3D-integrated modules. Journal of Communications Technology and Electronics. vol. 70, no. 1, pp.27-36 DOI: 10.31857/S0033849425010043

ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

Влияние дополнительного диэлектрического слоя и заземленного экрана на высокочастотные характеристики элементов GаAs микросхем в 3D-интегрированных модулях

Вы можете

Библиография

Индексирование

ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

Влияние дополнительного диэлектрического слоя и заземленного экрана на высокочастотные характеристики элементов GаAs микросхем в 3D-интегрированных модулях

Вы можете

Библиография

Индексирование

Войти через