Исследовано сходство стекольных систем с пиннингом в соединениях с волной зарядовой плотности (ВЗП) TmTe3 и HoTe3. Измерены дифференциальные вольт-амперные характеристики в микромостиковых структурах, ориентированных вдоль направления скольжения ВЗП, при многоступенчатом изменении температур. Продемонстрировано изменяющееся поведение порогового поля в процессе изотермической выдержки в системе со скользящей ВЗП, с характерной релаксацией в логарифмическом масштабе времени. Обнаружено свойство, присущее стекольным системам – эффект памяти, что позволяет утверждать о необычной стекольной природе системы центров пиннинга ВЗП в данных материалах.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation