By this author

Dependence of Reversible and Irreversible Failures of Semiconductor Devices on the Repetition Rate of Powerful Pulse Electromagnetic Interference

Issue number 12 from 16.09.2025

Проанализированы механизмы обратимых и необратимых отказов, происходящих у полупроводниковых СВЧ-приборов, микросхем и микропроцессоров при воздействии мощных электромагнитных импульсов, следующих как одиночно, так и периодически. Показано, что у микропроцессоров отказы обоих видов порождаются электротепловыми неустойчивостями, которые развиваются в пренебрежимо малых объемах прибора. Объяснены зависимости пороговой энергии отказов от амплитуды, длительности и частоты следования импульсов. Результаты расчетов согласуются с экспериментальными данными.

10 0

Interrelation of energy, spectrum and duration of an ultrashort electromagnetic pulse with its temporary form

Issue number 11 from 16.09.2025

Двумя способами определены энергия и длительность сверхкороткого электромагнитного импульса, распространяющегося по оси излучения в дальней зоне – по форме напряженности его электрического поля и по энергетическому спектру. В обоих случаях энергия импульса оказывается одинакова, но длительность и пиковая амплитуда различаются на десятки процентов. Дана сравнительная оценка энергии, рассеиваемой в полупроводниковых элементах автоматизированных технических устройств, облучаемых сверхкороткими и прямоугольными сверхвысокочастотными импульсами. Показано, что воздействие СВЧ-импульса является более эффективным на несущих частотах порядка сотен мегагерц и менее.

10 0