Предложена консервативная модель слабопроводящей материальной среды с меняющимися термодинамическими характеристиками в процессе распространения в ней импульса. Получены уравнения, описывающие изменение формы профиля видеоимпульса, распространяющегося в среде, а также в нелинейных линиях передачи с температурной зависимостью диэлектрической проницаемости. Показано, что если температурный коэффициент диэлектрической проницаемости отрицателен, то возможно увеличение пиковой мощности импульса с течением времени, в противном случае температурная зависимость диэлектрической проницаемости приводит к увеличению затухания.
Рассмотрены особенности технологии экспериментов по нетепловому воздействию мощных наносекундных импульсов на примере установки, используемой для модификации биологических сред и других объектов, обладающих разнородными электрофизическими характеристиками. Создана экспериментальная установка для исследования нетеплового воздействия мощных импульсов на образцы различных материалов, которая формирует импульсы с частотой повторения до 500 Гц, амплитудой до 60 кВ и длительностью 5 нс. Проведено моделирование переходных процессов в эквивалентной электрической схеме нагрузки, а в качестве нагрузки был использован биологический материал, помещенный в микропланшет.
Исследованы оптические коэффициенты пленок меди толщиной 1…16 нм, выращенных на подслое германия, напыленного на поверхность подложек из кварцевого стекла толщиной 4 мм. Измерения выполнены в прямоугольном волноводе сечением 23 × 10 мм2 в диапазоне частот 8.5…12.5 ГГц. В диапазоне толщин 2…16 нм обнаружено плавное изменение оптических коэффициентов пленок меди, выращенных на германиевом подслое. Установлено, что перколяционная толщина медных пленок, выращенных на подслое германия, заключена в диапазоне между 1 и 2 нм. Обнаружен сильный размерный эффект в пленках, выращенных на Ge-подслое, обусловленный рассеянием электронов проводимости преимущественно на межкристаллитных границах. Установлено, что коэффициент отражения электронов от межкристаллитных границ в пленках с Ge-подслоем более чем в три раза превосходит аналогичный коэффициент в пленках, выращенных непосредственно на подложке.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации