By this author

Preparation of Single-Crystal Zinc Oxide Films on a Metal Sublayer

Issue number 5 from 16.09.2025

Для увеличения эффективности работы устройств на основе пьезоэлектрических преобразователей из оксида цинка предложено использовать монокристаллические слои платины в качестве нижнего электрода. Получены эпитаксиальные монокристаллические пленки оксида цинка на металле. Показано, что данное сочетание слоев позволяет минимизировать рассогласование по параметрам решетки пленки и подложки, что существенно повышает качество полученной пьезоэлектрической пленки.

10 0

Magnetron deposition of barium hexaferrite films from a target of stoichiometric composition

Issue number 9 from 16.09.2025

Предложена методика получения пленок гексаферрита бария на сапфире с ориентацией (0001) методом высокочастотного магнетронного распыления стехиометрической мишени BaFe₁₂O₁₉ с последующим отжигом. Проведенные рентгеноструктурный анализ и рамановская спектрометрия показали возможность кристаллизации ориентированных пленок без использования коррекции состава мишени.

9 0

Obtaining Textured Nickel Antimonide Films

Issue number 12 from 16.09.2025

Впервые показано, что при осаждении никеля на нагретую подложку из антимонида галлия возникает диффузия атомов сурьмы из подложки в растущую пленку и образуется пленка антимонида никеля, обладающая аксиальной текстурой с осью, перпендикулярной плоскости пленки вдоль направления (101).

10 0

Production of ferroelectric hafnium oxide films by magnetron sputtering

Issue number 10 from 16.09.2025

Методом магнетронного распыления получены пленки оксида гафния, содержащие нецентросимметричную орторомбическую фазу, способную к спонтанной поляризации. Показано, что наличие бомбардировки отрицательными ионами кислорода способствует формированию орторомбической фазы.

10 0

On the influence of oxygen bombardment on the structure formation of hafnium oxide films

Issue number 11 from 16.09.2025

Методом магнетронного реактивного распыления в условиях кислородной бомбардировки получены пленки оксида гафния. Структурный анализ показал, что присутствие кислородной бомбардировки в процессе роста пленки приводит к изменениям ближнего порядка в кристаллической структуре полученных пленок.

10 0