Статьи автора

Фотоиндуцированная микроволновая диэлектрическая проницаемость полупроводников: экситонный механизм

Номер выпуска 2 от 01.02.2023

Существенные различия, наблюдаемые в поведении фотоиндуцированной диэлектрической проницаемости ε полупроводников в гигагерцовом (ГГц) и терагерцовом (ТГц) диапазонах, объясняются в рамках механизма экситонов различным расположением этих диапазонов относительно частот межуровневых переходов экситона. Измерения в ГГц-диапазоне фотоиндуцированного изменения Imε(P_λ) и Reε(P_λ) образцов CdS, CdSe и Si в волноводном резонаторе (f = 4.7 ГГц) и пропускания T образцов Si в свободном пространстве (f = 8…36 ГГц) при волоконно-оптическом облучении (мощность P_λ = 0…370 мВт, λ = 0.97 мкм), обнаруживающие не-друдеподобный отклик, подтверждают выводы теории: увеличение Reε^GHz(P_λ) с ростом P_λ и увеличение пропускания T с понижением частоты f при фиксированной мощности P_λ.

43 0