Статьи автора

Изменения собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs из-за возвращения в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения

Номер выпуска 1 от 17.09.2025

Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.

21 0

Факторы, уменьшающие длительность пикосекундного стимулированного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs

Номер выпуска 2 от 17.09.2025

Получены новые экспериментальные данные, указывающие на следующие две причины обнаруженного ранее значительного уменьшения длительности собственного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs, выходившего из ее торца в выделенном направлении: 1) возвращающееся в активную область излучение, отраженное от торца, забирает значительную часть энергии инверсии населенности, которая иначе затрачивалась бы на генерацию излучения, движущегося к торцу; 2) образовывавшиеся неоднородности отраженного излучения вызывали такое переключение состояний мультистабильного фотонного кристалла, наводимого в гетероструктуре ее излучением, что для излучения, которое выходило бы из торца в выделенном направлении, росла запрещенная зона, и в гетероструктуре, и как следствие в воздушном пространстве, менялись траектории излучения.

25 0

Собственное стимулированное интенсивное пикосекундное излучение в режиме насыщения усиления и “порогового” состояния электронно-дырочной плазмы в гетероструктуре Al_<i>x</i>Ga_{1 –} _<i>x</i>As–GaAs–Al_<i>x</i>Ga₁ _{<i>– x</i>}As

Номер выпуска 3 от 17.09.2025

В обзоре представлена третья часть экспериментального исследования излучения и возбуждаемых им оптоэлектронных эффектов. В начале мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры Al_xGa_{1 – x}As–GaAs–Al_xGa_{1 – x}As в нем возникает пикосекундное излучение. Экспериментально доказано, что это – усиленное спонтанное (стимулированное) излучение со спецификой распространения в гетероструктуре. Показано, что благодаря большой интенсивности излучения электронно-дырочная плазма поддерживается в “пороговом” состоянии с инверсией населенности электронов в узком энергетическом интервале. В связи с этим с плотностью электронов становятся однозначно связаны их температура, а следовательно, их распределение между долинами и т.п. Найдено, что ограничение инверсии означало насыщение усиления излучения, когда усиление лимитируется энергетическим транспортом носителей заряда на уровни, с которых они вынужденно рекомбинируют. Определено, что транспорт, замедляемый нагревом носителей из-за их взаимодействия с излучением, при связи температуры носителей с их плотностью, определяет динамику излучения в целом и его спектральных компонент.

10 0

Размерный резонанс собственного стимулированного пикосекундного излучения при наведении им фотонного кристалла и осцилляций населенности электронов в гетероструктуре Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs

Номер выпуска 2 от 17.09.2025

Мощная пикосекундная оптическая накачка слоя GaAs гетероструктуры вызывает генерацию в нем стимулированного пикосекундного излучения. Благодаря своей высокой интенсивности излучение наводит брэгговскую решетку населенности электронов в активной области слоя, делая последнюю активным фотонным кристаллом. В поле излучения инверсная населенность электронов осциллирует со временем, что должно приводить к пространственно-временной модуляции излучения и этой населенности. Обнаружено, что, если расстояние Y между торцом гетероструктуры и центром активной среды и геометрические параметры указанной модуляции и движения излучения в фотонном кристалле удовлетворяют определенным условиям, то происходит размерный резонанс – возникает локально максимум модуляции зависимости энергии излучения, выходящего из торца, от Y и от энергии накачки.

13 0

Динамика размерного резонанса собственного стимулированного пикосекундного излучения в гетероструктуре Al_XGa_1-XAs–GaAs–A_lXGa_1-XAs, в которой это излучение наводит фотонный кристалл и осцилляции населенности электронов

Номер выпуска 7 от 17.09.2025

Обнаружено коррелированное влияние размерного резонанса на параметры огибающей импульса спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1-xAs–GaAs–Al_xGa_1-xAs, которое наводит брэгговскую решетку населенности электронов в активной области слоя GaAs, делая последнюю фотонным кристаллом, и возбуждает осцилляции населенности со временем. Установлено, что чаще новый изучаемый вид размерного резонанса — это следствие закона минимальной диссипации.

17 0