By this author

Changes in the intrinsic stimulated intense picosecond emission of the Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs heterostructure due to the return of those part of the emission that was reflected from the end of the heterostructure to the active region

from 01.01.2025

Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.

98 0

Factors that reduce the duration of picosecond stimulated emission of the Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs heterostructure

from 01.02.2025

Получены новые экспериментальные данные, указывающие на следующие две причины обнаруженного ранее значительного уменьшения длительности собственного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs, выходившего из ее торца в выделенном направлении: 1) возвращающееся в активную область излучение, отраженное от торца, забирает значительную часть энергии инверсии населенности, которая иначе затрачивалась бы на генерацию излучения, движущегося к торцу; 2) образовывавшиеся неоднородности отраженного излучения вызывали такое переключение состояний мультистабильного фотонного кристалла, наводимого в гетероструктуре ее излучением, что для излучения, которое выходило бы из торца в выделенном направлении, росла запрещенная зона, и в гетероструктуре, и как следствие в воздушном пространстве, менялись траектории излучения.

109 0

Dimensional resonance of intrinsic stimulated picosecond emission while it induces a photonic crystal and electron population oscillations in heterostructure Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs

Issue number 2 from 01.02.2024

Мощная пикосекундная оптическая накачка слоя GaAs гетероструктуры вызывает генерацию в нем стимулированного пикосекундного излучения. Благодаря своей высокой интенсивности излучение наводит брэгговскую решетку населенности электронов в активной области слоя, делая последнюю активным фотонным кристаллом. В поле излучения инверсная населенность электронов осциллирует со временем, что должно приводить к пространственно-временной модуляции излучения и этой населенности. Обнаружено, что, если расстояние Y между торцом гетероструктуры и центром активной среды и геометрические параметры указанной модуляции и движения излучения в фотонном кристалле удовлетворяют определенным условиям, то происходит размерный резонанс – возникает локально максимум модуляции зависимости энергии излучения, выходящего из торца, от Y и от энергии накачки.

77 0

THE EFFECT ON THE DYNAMICS OF INTRINSIC STIMULATED PICOSECOND EMISSION OF THE AlGaAs—GaAs—AlGaAs HETEROSTRUCTURE EXERTED BY A DYNAMIC PHOTONIC CRYSTAL INDUCED BY THIS EMISSION

from 01.06.2025

Обнаружено, что интерференция стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры AlGaAs—GaAs—AlGaAs, создаваемая динамическим фотонным кристаллом, наведенным этим излучением в слое GaAs, существенно видоизменяет огибающие импульсов спектральных компонент излучения. Установлено, что меняющие интерференцию дискретные изменения фотонного кристалла происходят под влиянием отраженной от торца гетероструктуры части излучения.

11 0

THE EFFECT ON THE DYNAMICS OF INTRINSIC STIMULATED PICOSECOND EMISSION OF THE AlGaAs—GaAs—AlGaAs HETEROSTRUCTURE EXERTED BY A DYNAMIC PHOTONIC CRYSTAL INDUCED BY THIS EMISSION

Issue number 6 from 29.12.2025

Обнаружено, что интерференция стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры AlGaAs—GaAs—AlGaAs, создаваемая динамическим фотонным кристаллом, наведенным этим излучением в слое GaAs, существенно видоизменяет огибающие импульсов спектральных компонент излучения. Установлено, что меняющие интерференцию дискретные изменения фотонного кристалла происходят под влиянием отраженной от торца гетероструктуры части излучения.

24 0

Changes in the intrinsic stimulated intense picosecond emission of the Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs heterostructure due to the return of those part of the emission that was reflected from the end of the heterostructure to the active region

Issue number 1 from 01.01.2025

Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.

17 0

Factors that reduce the duration of picosecond stimulated emission of the Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs heterostructure

Issue number 2 from 01.02.2025

Получены новые экспериментальные данные, указывающие на следующие две причины обнаруженного ранее значительного уменьшения длительности собственного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs, выходившего из ее торца в выделенном направлении: 1) возвращающееся в активную область излучение, отраженное от торца, забирает значительную часть энергии инверсии населенности, которая иначе затрачивалась бы на генерацию излучения, движущегося к торцу; 2) образовывавшиеся неоднородности отраженного излучения вызывали такое переключение состояний мультистабильного фотонного кристалла, наводимого в гетероструктуре ее излучением, что для излучения, которое выходило бы из торца в выделенном направлении, росла запрещенная зона, и в гетероструктуре, и как следствие в воздушном пространстве, менялись траектории излучения.

12 0