Статьи автора

Изменения собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs из-за возвращения в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения

от 01.01.2025

Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.

99 0

Факторы, уменьшающие длительность пикосекундного стимулированного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs

от 01.02.2025

Получены новые экспериментальные данные, указывающие на следующие две причины обнаруженного ранее значительного уменьшения длительности собственного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs, выходившего из ее торца в выделенном направлении: 1) возвращающееся в активную область излучение, отраженное от торца, забирает значительную часть энергии инверсии населенности, которая иначе затрачивалась бы на генерацию излучения, движущегося к торцу; 2) образовывавшиеся неоднородности отраженного излучения вызывали такое переключение состояний мультистабильного фотонного кристалла, наводимого в гетероструктуре ее излучением, что для излучения, которое выходило бы из торца в выделенном направлении, росла запрещенная зона, и в гетероструктуре, и как следствие в воздушном пространстве, менялись траектории излучения.

111 0

Размерный резонанс собственного стимулированного пикосекундного излучения при наведении им фотонного кристалла и осцилляций населенности электронов в гетероструктуре Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs

Номер выпуска 2 от 01.02.2024

Мощная пикосекундная оптическая накачка слоя GaAs гетероструктуры вызывает генерацию в нем стимулированного пикосекундного излучения. Благодаря своей высокой интенсивности излучение наводит брэгговскую решетку населенности электронов в активной области слоя, делая последнюю активным фотонным кристаллом. В поле излучения инверсная населенность электронов осциллирует со временем, что должно приводить к пространственно-временной модуляции излучения и этой населенности. Обнаружено, что, если расстояние Y между торцом гетероструктуры и центром активной среды и геометрические параметры указанной модуляции и движения излучения в фотонном кристалле удовлетворяют определенным условиям, то происходит размерный резонанс – возникает локально максимум модуляции зависимости энергии излучения, выходящего из торца, от Y и от энергии накачки.

77 0

ВЛИЯНИЕ НА ДИНАМИКУ СОБСТВЕННОГО СТИМУЛИРОВАННОГО ПИКОСЕКУНДНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlGaAs—GaAs—AlGaAs, ОКАЗЫВАЕМОЕ ДИНАМИЧЕСКИМ ФОТОННЫМ КРИСТАЛЛОМ, НАВЕДЕННЫМ ЭТИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

от 01.06.2025

Обнаружено, что интерференция стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры AlGaAs—GaAs—AlGaAs, создаваемая динамическим фотонным кристаллом, наведенным этим излучением в слое GaAs, существенно видоизменяет огибающие импульсов спектральных компонент излучения. Установлено, что меняющие интерференцию дискретные изменения фотонного кристалла происходят под влиянием отраженной от торца гетероструктуры части излучения.

11 0

ВЛИЯНИЕ НА ДИНАМИКУ СОБСТВЕННОГО СТИМУЛИРОВАННОГО ПИКОСЕКУНДНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlGaAs—GaAs—AlGaAs, ОКАЗЫВАЕМОЕ ДИНАМИЧЕСКИМ ФОТОННЫМ КРИСТАЛЛОМ, НАВЕДЕННЫМ ЭТИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

Номер выпуска 6 от 29.12.2025

Обнаружено, что интерференция стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры AlGaAs—GaAs—AlGaAs, создаваемая динамическим фотонным кристаллом, наведенным этим излучением в слое GaAs, существенно видоизменяет огибающие импульсов спектральных компонент излучения. Установлено, что меняющие интерференцию дискретные изменения фотонного кристалла происходят под влиянием отраженной от торца гетероструктуры части излучения.

24 0

Изменения собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs из-за возвращения в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения

Номер выпуска 1 от 01.01.2025

Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.

18 0

Факторы, уменьшающие длительность пикосекундного стимулированного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs

Номер выпуска 2 от 01.02.2025

Получены новые экспериментальные данные, указывающие на следующие две причины обнаруженного ранее значительного уменьшения длительности собственного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs, выходившего из ее торца в выделенном направлении: 1) возвращающееся в активную область излучение, отраженное от торца, забирает значительную часть энергии инверсии населенности, которая иначе затрачивалась бы на генерацию излучения, движущегося к торцу; 2) образовывавшиеся неоднородности отраженного излучения вызывали такое переключение состояний мультистабильного фотонного кристалла, наводимого в гетероструктуре ее излучением, что для излучения, которое выходило бы из торца в выделенном направлении, росла запрещенная зона, и в гетероструктуре, и как следствие в воздушном пространстве, менялись траектории излучения.

17 0