By this author

Influence of conditions for the formation of hafnium oxide films on the structural and electrical properties of heterostructures.

Issue number 10 from 01.10.2023

Пленки оксида гафния (HfO₂) синтезированы на кремниевые подложки методом магнетронного распыления при различных технологических режимах. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO₂ и электрофизических свойств гетероструктур металл–диэлектрик–полупроводник (Ni–HfO₂–Si) на их основе.

71 0