Статьи автора

Влияние условий формирования пленок оксида гафния на структурные и электрофизические свойства гетероструктур

Номер выпуска 10 от 01.10.2023

Пленки оксида гафния (HfO₂) синтезированы на кремниевые подложки методом магнетронного распыления при различных технологических режимах. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO₂ и электрофизических свойств гетероструктур металл–диэлектрик–полупроводник (Ni–HfO₂–Si) на их основе.

70 0