By this author

Metal–semiconductor–metal detectors ZnS/GaP for the ultraviolet and visible part of the spectrum with electrically tunable spectral photosensitivity

Issue number 9 from 01.09.2023

Высококачественные эпитаксиальные слои ZnS выращены на полупроводниковых подложках GaP методом MOCVD. Изготовлены и исследованы фотодетекторы видимой и УФ-части спектра на основе встречно-штыревых Шоттки барьерных контактов металл–полупроводник–металл (МПМ) к полупроводниковой структуре ZnS/GaР. Детекторы демонстрируют низкие величины темновых токов. Установлена зависимость характеристик спектрального отклика детекторов от напряжения смещения. Найдено, что длинноволновая граница отклика ZnS/GaP МПМ-детекторов может сдвигаться с 355 до 450 нм при изменении напряжения смещения с 10 до 30 В. На длине волны максимальной фоточувствительности 450 нм ампер-ваттная чувствительность детектора составила 0.3 А/Вт при напряжении смещения 60 В, а квантовая эффективность 82%.

73 0