By this author

Intrinsic Stimulated Intense Picosecond Emission in the Amplification Saturation Mode and the “Threshold” State of Electron-Hole Plasma in the AlxGa1 – xAs–GaAs–AlxGa1 – xAs Heterostructure

Issue number 3 from 01.03.2023

В обзоре представлена третья часть экспериментального исследования излучения и возбуждаемых им оптоэлектронных эффектов. В начале мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры Al_xGa_{1 – x}As–GaAs–Al_xGa_{1 – x}As в нем возникает пикосекундное излучение. Экспериментально доказано, что это – усиленное спонтанное (стимулированное) излучение со спецификой распространения в гетероструктуре. Показано, что благодаря большой интенсивности излучения электронно-дырочная плазма поддерживается в “пороговом” состоянии с инверсией населенности электронов в узком энергетическом интервале. В связи с этим с плотностью электронов становятся однозначно связаны их температура, а следовательно, их распределение между долинами и т.п. Найдено, что ограничение инверсии означало насыщение усиления излучения, когда усиление лимитируется энергетическим транспортом носителей заряда на уровни, с которых они вынужденно рекомбинируют. Определено, что транспорт, замедляемый нагревом носителей из-за их взаимодействия с излучением, при связи температуры носителей с их плотностью, определяет динамику излучения в целом и его спектральных компонент.

69 0

Dynamics of dimensional resonance of intrinsic picosecond emission in the heterostructure of Al_xGa_1-xAs–GaAs–Al_xGa_1-xAs, in which this emission induces a photonic crystal and oscillations of electron population

Issue number 7 from 01.07.2024

Обнаружено коррелированное влияние размерного резонанса на параметры огибающей импульса спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1-xAs–GaAs–Al_xGa_1-xAs, которое наводит брэгговскую решетку населенности электронов в активной области слоя GaAs, делая последнюю фотонным кристаллом, и возбуждает осцилляции населенности со временем. Установлено, что чаще новый изучаемый вид размерного резонанса — это следствие закона минимальной диссипации.

77 0