Статьи автора

Фотоиндуцированная микроволновая диэлектрическая проницаемость полупроводников: экситонный механизм

Номер выпуска 2 от 01.02.2023

Существенные различия, наблюдаемые в поведении фотоиндуцированной диэлектрической проницаемости ε полупроводников в гигагерцовом (ГГц) и терагерцовом (ТГц) диапазонах, объясняются в рамках механизма экситонов различным расположением этих диапазонов относительно частот межуровневых переходов экситона. Измерения в ГГц-диапазоне фотоиндуцированного изменения Imε(P_λ) и Reε(P_λ) образцов CdS, CdSe и Si в волноводном резонаторе (f = 4.7 ГГц) и пропускания T образцов Si в свободном пространстве (f = 8…36 ГГц) при волоконно-оптическом облучении (мощность P_λ = 0…370 мВт, λ = 0.97 мкм), обнаруживающие не-друдеподобный отклик, подтверждают выводы теории: увеличение Reε^GHz(P_λ) с ростом P_λ и увеличение пропускания T с понижением частоты f при фиксированной мощности P_λ.

60 0

Искусственные магнитные проводники на основе частотно-селективных поверхностей

Номер выпуска 7 от 01.07.2023

Предложены и исследованы новые полосно-пропускающие частотно-селективные поверхности (ЧСП). Получены формулы для расчета модуля и фазы коэффициента отражения искусственных магнитных проводников, на основе предложенных ЧСП. Проведено сопоставление результатов электродинамического моделирования и расчета по формулам. Показана возможность расширения рабочей полосы частот.

12 0

Радиопоглотитель с высокой угловой устойчивостью резонансной частоты на основе искусственного магнитного проводника и резистивной пленки

Номер выпуска 8 от 01.08.2023

Предложена конструкция радиопоглотителя (РП) с высокой устойчивостью резонансной частоты на основе резистивной пленки с сопротивлением 120 Ом на квадрат и искусственного магнитного проводника в составе пары емкостных решеток на слое диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью \(({{\varepsilon }_{1}} \gg 1)\), металлизированном с противоположной стороны. Результаты численных расчетов частотно-угловых зависимостей коэффициента отражения от РП подтвердили их предварительные оценки, полученные по аналитическим выражениям. Так, при \({{\varepsilon }_{1}} = 20\) сдвиг резонансной частоты не превысил 2% в интервале углов падения \(\varphi = 0^\circ ...60^\circ \), а отношение ширины полосы поглощения РП к его толщине “bandwidth thickness ratio” при \(\varphi = 0\) составило 4.29.

70 0

Характеристики обратного рассеяния при больших углах падения плоских волн TM-поляризации на протяженную металлическую пластину с радиопоглощающим покрытием на основе структуры искусственного магнитного проводника

Номер выпуска 5 от 29.12.2025

Представлены результаты численного расчета обратного рассеяния при больших углах падения плоских волн TM-поляризации на протяженную металлическую поверхность конечных размеров с радиопоглощающим покрытием на основе структуры искусственного магнитного проводника. Показано, что покрытие такого типа толщиной 1…2 мм позволяет понизить на 10…30 дБ первый (со стороны больших углов) максимум на угловой зависимости обратного рассеяния на сверхвысоких частотах в полосе порядка октавы.

69 0