By this author

Modelling of insulating potential in ultra-thin (42 Å) silicon oxide film

Issue number 3 from 29.12.2025

На основе ранее выполненных измерений туннельных вольт-амперных характеристик структур металл-SiО₂-Si (МОП) проведено моделирование изолирующего рельефа в сверхтонкой (4.2 нм) пленке окисла кремния. Потенциал в диэлектрике задавался в форме трапеции, боковые склоны которой имитировали переходные слои, а верхнее основание — объем SiО₂. Вычислены параметры модели — высота барьера и координаты угловых точек трапеции, исходя из требования максимальной близости экспериментальной и теоретической производных по напряжению от логарифма тока. Обнаружены общие, с более тонкими пленками (3.7 нм) окисла кремния, черты изолирующего потенциала: барьер занимает до половины номинального объема диэлектрического промежутка и сдвинут к полевому электроду, а его склон в сторону полупроводниковой подложки гораздо более пологий по сравнению с примыкающим к затвору.

81 0

Determination of constants and construction of field dependences of parameters of metal-oxide-semiconductor structures with ultrathin layers of silicon oxide based on their experimental high-frequency voltage-capacitance-characteristics

Issue number 7 from 01.07.2024

Разработан алгоритм определения из экспериментальных полевых зависимостей высокочастотного импеданса кремниевых структур со сверхтонким (менее 5 нм) слоем SiО₂ емкости изолирующего промежутка и концентрации легирующей примеси непосредственно у границы раздела Si–SiО₂. Получены соотношения, позволяющие оценить предельные погрешности развитого подхода. Предложенный метод применен к экспериментальным характеристикам структуры металл–окисел–полупроводник с толщиной SiО₂ 4.2 нм. Показано, что разработанный алгоритм имеет достаточно высокие точность и доступность для использования при обработке данных высокочастотных измерений.

84 0