Статьи автора

ЭФФЕКТИВНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ (111)А-, (411)А-ОРИЕНТИРОВАННЫХ ПОДЛОЖЕК ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ЭПИТАКСИАЛЬНОМ РОСТЕ ФОТОПРОВОДЯЩИХ СТРУКТУР (In,Ga)As, ПРИМЕНЯЕМЫХ ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ТЕРАГЕРЦЕВЫХ ИМПУЛЬСОВ

Номер выпуска 8 от 01.08.2025

Представлено обобщение результатов исследований, проводившихся, начиная с 2016 г., и посвященных эпитаксиальному выращиванию однослойных и многослойных структур (In,Ga)As на подложках GaAs (111)A и InP (411) при пониженной температуре и генерации импульсного излучения терагерцевого (ТГц) диапазона путем облучения фемтосекундными оптическими импульсами непосредственно поверхности этих пленок либо зазора фотопроводящих антенн, изготовленных на поверхности пленок. Каждая из пленок по своему кристаллическому совершенству и эффективности ТГц-генерации сравнивалась с пленкой аналогичного состава, выращенной на подложке GaAs либо InP со стандартной ориентацией поверхности (100). Показано, что пленки, выращенные в низкотемпературном режиме на нестандартных подложках (111)А, (411)А, насыщены протяженными дефектами (двойниками, дефектами упаковки, малоугловыми границами блоков мозаики), частично или полностью поликристалличны, однако это не является препятствием для более эффективной генерации ТГц-импульсов по сравнению с аналогичными пленками на стандартных подложках (100), которые менее дефектны и обеспечивают значительно бóльшую подвижность электронов.

41 0