Исследованы процессы формирования тонких пленок золота на поверхности подложки из арсенида галлия при испарении в вакууме. Обнаружено образование островков арсенида галлия с гексагональной структурой решетки. Обсуждается влияние условий изготовления контактов Au-GaAs на возможность их использования в приборах СВЧ.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации