Проведен обзор и исследование вариантов конструктивного исполнения периферийных участков пальцев СВЧ LDMOS транзисторов. Исследование проводилось посредством 3D моделирования в САПР Sentaurus TCAD. Определены варианты конструкции, позволяющие обеспечить уровень напряжения пробоя сток-исток на периферии не ниже, чем в рабочей части пальца.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации