Обнаружено, что интерференция стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры AlGaAs—GaAs—AlGaAs, создаваемая динамическим фотонным кристаллом, наведенным этим излучением в слое GaAs, существенно видоизменяет огибающие импульсов спектральных компонент излучения. Установлено, что меняющие интерференцию дискретные изменения фотонного кристалла происходят под влиянием отраженной от торца гетероструктуры части излучения.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation