- Код статьи
- 10.31857/S0033849424110092-1
- DOI
- 10.31857/S0033849424110092
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 69 / Номер выпуска 11
- Страницы
- 1110-1120
- Аннотация
- Проведен анализ шумовых свойств приемного тракта на основе пассивного смесителя с управлением по току с учетом источников шума следующих устройств: входного малошумящего усилителя, собственно смесителя, выходного трансимпедансного усилителя. Проанализирован шум на выходе приемного тракта, который генерируется перечисленными группами источников шума. Найден коэффициент шума приемного тракта и его оптимальное (наименьшее) значение с учетом влияния паразитных емкостей ключей смесителя. Результаты расчета подтверждены результатами моделирования.
- Ключевые слова
- коэффициент шума приемный тракт малошумящий усилитель пассивный смеситель с управлением по току трансимпедансный усилитель спектральная плотность средней мощности шума
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 10
Библиография
- 1. Terrovitis M. A., Mayer R. G. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1999. V. 34. № 6. P. 772.
- 2. Darabi H., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2000. V. SSC-35. № 1. P. 15.
- 3. Kоротков А. С. // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 2. С. 128.
- 4. Qi G., Shao H., Mak P. I. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2020. V. 55. № 12. P. 3387.
- 5. Yang D., Andrew C., Molnar A. // IEEE Trans. 2015. V. CS-I-62. № 11. P. 2759.
- 6. Lenka M. K., Banerjee G. // IEEE Trans. 2019. V. VLSI-27. № 5. P. 993.
- 7. Shams N., Nabki F. // IEEE Trans. 2023. V. VLSI-31. № 3. P. 369.
- 8. Chehrazi S., Mirzaei A., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2010. V. CS-I-57. № 2. P. 332.
- 9. Чан Т. Д., Коротков А. С. // РЭ. ٢٠٢٤. Т. 69. № 3. С. 288.
- 10. Коротков А. С., Чан Т. Д. // РЭ. ٢٠٢٣. Т. 68. № 1. С. 83.
- 11. Mirzaei A., Darabi D., Leete J. C. et al. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2009. V. 44. № 10. P. 2678.
- 12. Korotkov A. S., Tran T. D. // Proc. 2023 Int. Conf. Electrical Engineering and Photonics. St. Petersburg. 19–20 Oct. N.Y.: IEEE, 2023. P. 22.
- 13. Nguyen T. K., Kim C. H., Ihm G. J. et al. // IEEE Trans. 2004. V. MTT-52. № 5. P. 1433.
