- Код статьи
- 10.31857/S0033849424030061-1
- DOI
- 10.31857/S0033849424030061
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 69 / Номер выпуска 3
- Страницы
- 253-259
- Аннотация
- На основе ранее выполненных измерений туннельных вольт-амперных характеристик структур металл-SiО2-Si (МОП) проведено моделирование изолирующего рельефа в сверхтонкой (4.2 нм) пленке окисла кремния. Потенциал в диэлектрике задавался в форме трапеции, боковые склоны которой имитировали переходные слои, а верхнее основание — объем SiО2. Вычислены параметры модели — высота барьера и координаты угловых точек трапеции, исходя из требования максимальной близости экспериментальной и теоретической производных по напряжению от логарифма тока. Обнаружены общие, с более тонкими пленками (3.7 нм) окисла кремния, черты изолирующего потенциала: барьер занимает до половины номинального объема диэлектрического промежутка и сдвинут к полевому электроду, а его склон в сторону полупроводниковой подложки гораздо более пологий по сравнению с примыкающим к затвору.
- Ключевые слова
- туннельные вольт-амперные характеристики моделирование изолирующего рельефа производные по напряжению от логарифма тока
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 11
Библиография
- 1. Zwanenburg F.A., Dzurak A.S., Morello A. et al. // Rev. Mod. Phys. 2013. V. 85. № 3. P. 961.https://doi.org/10.1103/RevModPhys.85.961.
- 2. Красников Г.Я., Горнев Е.С., Матюшкин И.В. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2018. С. 63.
- 3. Черняев М.В., Горохов С.А., Патюков С.И., Резванов А.А. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2022. С. 31.
- 4. Muller D.A., Sorsch T., Moccio S. et al. // Nature. 1999. V. 399. № 6738. P. 758.https://doi.org/10.1038/21602.
- 5. Vasudevan R., Pilania G., Balachandran P.V. // J. Appl. Phys. 2021. V. 129. P. 070401.https://doi.org/10.1063/5.0043300.
- 6. Тахтамиров Э.Е., Волков В.А. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. № 5. С. 1843.
- 7. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир, 1985.
- 8. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988.
- 9. Гольдман Е.И., Левашов С.А., Чучева Г.В. // ФТП. 2019. Т. 53. № 4. С. 481.https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47444.9011.
- 10. Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. // ФТП. 2021. Т. 55. № 1. С. 24.https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50379.9511.
- 11. Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Черняев М.В. // ФТП. 2008. Т. 42. № 1. С. 94.
- 12. Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Шушарин И.А. // ФТП. 2022. Т. 56. № 3. С. 328.https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52119.9756.
- 13. Тихонов А.Н., Арсенин В.А. Методы решения некорректных задач. М: Наука, 1986.
- 14. Гольдман Е.И., Иванов В.А. Адаптивный тихоновский алгоритм построения производных экспериментальных зависимостей. Препринт ИРЭ АН СССР № 22(551). М.: ИРЭ АН СССР, 1990. 24с.
