Размерный резонанс собственного стимулированного пикосекундного излучения при наведении им фотонного кристалла и осцилляций населенности электронов в гетероструктуре AlxGa1–xAs–GaAs–AlxGa1–xAs

Агеева Н. Н.

doi:10.31857/S0033849424020106

Код статьи

10.31857/S0033849424020106-1

DOI

10.31857/S0033849424020106

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Агеева Н. Н.

Аффилиация: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Том/ Выпуск

Том 69 / Номер выпуска 2

Страницы

187-198

Аннотация

Мощная пикосекундная оптическая накачка слоя GaAs гетероструктуры вызывает генерацию в нем стимулированного пикосекундного излучения. Благодаря своей высокой интенсивности излучение наводит брэгговскую решетку населенности электронов в активной области слоя, делая последнюю активным фотонным кристаллом. В поле излучения инверсная населенность электронов осциллирует со временем, что должно приводить к пространственно-временной модуляции излучения и этой населенности. Обнаружено, что, если расстояние Y между торцом гетероструктуры и центром активной среды и геометрические параметры указанной модуляции и движения излучения в фотонном кристалле удовлетворяют определенным условиям, то происходит размерный резонанс – возникает локально максимум модуляции зависимости энергии излучения, выходящего из торца, от Y и от энергии накачки.

Ключевые слова

размерный резонанс гетероструктура стимулированное пикосекундное излучение фотонный кристалл осцилляции населенности электронов в полупроводнике пространственно-временная модуляция излучения

Дата публикации

17.09.2025

Год выхода

2025

Всего подписок

Всего просмотров

Библиография

1. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. и др.// ФТП. 2005. Т. 39. № 6. С. 681.
2. Агеева Н.Н., Броневой И.Л, Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2022. Т. 162. № 6. С. 1018.
3. Шадрина Г.В., Булгаков Е.Н. // ЖЭТФ. 2022. Т. 162. Вып. 5. С. 646.
4. Peschel T., Peschel U., Lederer F. // Phys. Rev. A. 1994. V.50. P. 5153.
5. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2023. Т. 68. № 3. С. 211.
6. Васильев П.П. // Квант. электроника. 1994. Т. 21. № 6. С. 585.
7. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2020. Т. 54. № 10. С. 1018.

ГОСТ	Агеева Н. Размерный резонанс собственного стимулированного пикосекундного излучения при наведении им фотонного кристалла и осцилляций населенности электронов в гетероструктуре Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs // Радиотехника и электроника. – 2024. – T. 69. – Номер выпуска 2 C. 187-198 . URL: https://radiotechras.ru/10-31857-s0033849424020106-1/?version_id=111036. DOI: 10.31857/S0033849424020106
MLA	Ageeva, N. N "Dimensional resonance of intrinsic stimulated picosecond emission while it induces a photonic crystal and electron population oscillations in heterostructure Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs." Journal of Communications Technology and Electronics. 69.2 (2024).:187-198. DOI: 10.31857/S0033849424020106
APA	Ageeva N. (2024). Dimensional resonance of intrinsic stimulated picosecond emission while it induces a photonic crystal and electron population oscillations in heterostructure Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs. Journal of Communications Technology and Electronics. vol. 69, no. 2, pp.187-198 DOI: 10.31857/S0033849424020106

ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

Вы можете

Библиография

Индексирование

ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

Вы можете

Библиография

Индексирование

Войти через