RAS PhysicsРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

  • ISSN (Print) 0033-8494
  • ISSN (Online) 3034-5901

Dependence of Reversible and Irreversible Failures of Semiconductor Devices on the Repetition Rate of Powerful Pulse Electromagnetic Interference

PII
10.31857/S0033849423120197-1
DOI
10.31857/S0033849423120197
Publication type
Status
Published
Authors
Volume/ Edition
Volume 68 / Issue number 12
Pages
1221-1229
Abstract
The mechanisms of reversible and irreversible failures that occur in microwave semiconductor devices, microcircuits, and microprocessors under the action of powerful electromagnetic pulses, either single or periodic, are analyzed. It is shown that, in microprocessors, failures of both types are generated by the electrothermal instabilities, which develop in negligibly small volumes of a device. The dependences of the threshold energy of failures on the pulse amplitude, length, and repetition rate are explained. The results of the calculation are consistent with the experimental data.
Keywords
Date of publication
16.09.2025
Year of publication
2025
Number of purchasers
0
Views
14

References

  1. 1. Рикетс Л.У., Бриджес Дж., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты. М.: Атомиздат, 1979.
  2. 2. Whalen J.J., Calcatera M.C., Thorn M.L. // IEEE Trans. 1979. V. MTT-27. № 12. P. 1026.
  3. 3. Wunsh D.C., Bell R.R. // IEEE Trans. 1968. V. NS-15. № 6. P. 244.
  4. 4. Taska D.M. // IEEE Trans. 1970. V. NS-17. № 6. P. 364.
  5. 5. Arkhipov V.I., Astvatsaturyan E.R., Godovitsyn V.I., Rudenko A.I. // Int. J. Electronics. 1983. V. 55. № 3. P. 395.
  6. 6. Абидов М.А. Статические характеристики диодных структур. М.: Радио и связь, 1989.
  7. 7. Dwyer V.M., Franklin A.J., Campbell D.S. // Solid-State Electronics. 1990. V. 33. № 5. P. 553.
  8. 8. Усыченко В.Г., Сорокин Л.Н. Стойкость сверхвысокочастотных радиоприемных устройств к электромагнитным воздействиям. М.: Радиотехника, 2017.
  9. 9. Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. // РЭ. 2011. Т. 56. № 3. С. 370.
  10. 10. Nitsch D., Camp M., Sabath F. et al. // IEEE Trans. 2004. V. EMC-46. № 3. P. 380.
  11. 11. Юшков Ю.Г., Чумерин П.Ю., Артеменко С.Н. и др. // РЭ. 2001. Т. 46. № 8. С. 1020.
  12. 12. Hoad R., Carter N., Herke D., Watkins S. // IEEE Trans. 2004. V. EMC-46. № 3. P. 390.
  13. 13. Camp M., Garbe H. // IEEE Trans. 2006. V. EMC-48. № 4. P. 829.
  14. 14. Усыченко В.Г., Сасункевич А.А., Сорокин Л.Н. // РЭ. 2016. Т. 61. № 5. С. 484.
  15. 15. Сасункевич А.А., Сорокин Л.Н., Усыченко В.Г. // РЭ. 2016. Т. 61. № 7. С. 702.
  16. 16. ГОСТ Р 51317.2.5–2000. Совместимость технических средств электромагнитная. Электромагнитная обстановка. Классификация электромагнитных помех в местах размещения технических средств. М.: Госстандарт России, 2001. https://meganorm.ru/Data/109/10975.pdf.
  17. 17. Усыченко В.Г., Сорокин Л.Н., Усыченко А.С. // РЭ. 2020. Т. 65. № 12. С. 1234.
  18. 18. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984.
  19. 19. Самарский А.А., Галактионов B.А., Курдюмов C.П., Михайлов А.П. Режимы с обострением в задачах для квазилинейных параболических уравнений. М.: Наука, 1987.
  20. 20. Сасункевич А.А., Сорокин Л.Н., Усыченко В.Г. // РЭ. 2013. Т. 58. № 6. С. 635.
QR
Translate

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Higher Attestation Commission

At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation

Scopus

Scientific Electronic Library