Структура пленок алюминия для создания туннельных переходов

Стрелков М. В.; Чекушкин А. М.; Ломов А. А.; Краевский С. В.; Фоминский М. Ю.; Тарасов М. А.

doi:10.31857/S0033849423100157

Код статьи

10.31857/S0033849423100157-1

DOI

10.31857/S0033849423100157

Тип публикации

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Стрелков М. В.

Аффилиация:
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Чекушкин А. М.

Аффилиация: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Ломов А. А.

Аффилиация: Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Краевский С. В.

Аффилиация: Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича

Фоминский М. Ю.

Аффилиация: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Тарасов М. А.

Аффилиация: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Том/ Выпуск

Том 68 / Номер выпуска 10

Страницы

998-1002

Аннотация

Проведен цикл исследований структуры пленок алюминия, напыленных на монокристаллические подложки кремния в разных температурных режимах. Микроскопом атомных сил исследована шероховатость и размер зерна пленок зародышей толщиной 20 нм, напыленных при повышенных температурах, а также допыленных поверх слоя зародыша при комнатной температуре до толщины 150 нм. Измерен профиль пленок в электронном микроскопе. Найдено, что пленки на горячем подслое оказываются более гладкими, более жесткими (менее рыхлыми) и позволяют рассчитывать на создание переходов сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник и сверхпроводник–изолятор–нормальный металл соответственно с более высокой плотностью тока и меньшей емкостью.

Ключевые слова

Дата публикации

01.10.2023

Год выхода

2023

Всего подписок

Всего просмотров

Библиография

1. Rodionov I., Baburin A., Gabidullin A., et al. // Sci. Rep. 2019. V. 9. Article No. 12232.
2. Greibe T., Stenberg M., Wilson C. et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. № 9. Article No. 097001.

ГОСТ	Краевский С. , Ломов А. , Стрелков М. , Тарасов М. , Фоминский М. , Чекушкин А. Структура пленок алюминия для создания туннельных переходов // Радиотехника и электроника. – 2023. – T. 68. – Номер выпуска 10 C. 998-1002 . URL: https://radiotechras.ru/10-31857-s0033849423100157-1/?version_id=110989. DOI: 10.31857/S0033849423100157
MLA	Chekushkin, A. M, Fominskii, M. Yu, Kraevsky, S. V, Lomov, A. A, Strelkov, M. V, Tarasov, M. A "Structure of aluminum films for creating tunnel junctions.." Journal of Communications Technology and Electronics. 68.10 (2023).:998-1002. DOI: 10.31857/S0033849423100157
APA	Chekushkin A., Fominskii M., Kraevsky S., Lomov A., Strelkov M., Tarasov M. (2023). Structure of aluminum films for creating tunnel junctions.. Journal of Communications Technology and Electronics. vol. 68, no. 10, pp.998-1002 DOI: 10.31857/S0033849423100157

ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

Структура пленок алюминия для создания туннельных переходов

Вы можете

Библиография

Индексирование

ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

Структура пленок алюминия для создания туннельных переходов

Вы можете

Библиография

Индексирование

Войти через