- PII
- 10.31857/S0033849423050030-1
- DOI
- 10.31857/S0033849423050030
- Publication type
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 68 / Issue number 5
- Pages
- 461-469
- Abstract
- Changes in the morphology and structure of the GaAs surface during the deposition of an Au film by thermal evaporation in vacuum have been studied. It has been found that the deposition of an Au film with the participation of a flow of particles and light from a heated evaporator causes the appearance of photoeffects in the near-surface GaAs layers, including light diffraction on surface acoustic waves, the growth of whiskers, and electron emission, which leads to the formation of microcracks on the GaAs surface and the growth of GaAs crystallites. It is shown that the structure and composition of the film boundaries of Au and GaAs surfaces depend on the electron concentration in gallium arsenide, which ultimately determines the properties of the electrophysical parameters of the Au–GaAs contacts.
- Keywords
- morphology structure surface acoustic waves film boundaries microcracks
- Date of publication
- 01.05.2023
- Year of publication
- 2023
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 64
References
- 1. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высш. шк., 1987.
- 2. Гладков С.О. Физика композитов. Термодинамические и диссипативные свойства, М.: Наука, 1999.
- 3. Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Марков И.А., Тен Ю.А. // Журн. радиоэлектроники. 2019. № 6. http://jre.cplire.ru/jre/jun19/9/text.pdf.
- 4. Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Любченко В.Е. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. № 2. С. 196.
- 5. Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Любченко Д.В. и др. // РЭ. 2009. Т. 54. № 5. С. 621.
- 6. Lioubtchenko D.V., Briantseva T.A., Lebedeva Z.M. et al. // Defect and Diffusion Forum. 2001. V. 194–199. P. 745.
- 7. Брянцева Т.А., Марков И.А., Тен Ю.А. // РЭ. 2021. Т. 66. № 5. С. 490.
- 8. Физический энциклопедический словарь. М.: Сов. энциклопедия, 1983.
- 9. Laser Annealing of Semiconductors / Eds. by J.M. Poate, J.W. Mayer. N. Y.: Academic, 1982.
- 10. Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988.
- 11. Брянцева T.А., Любченко В.Е., Юневич Е.О. // РЭ. 1987. Т. 10. № 11. С. 2231.
- 12. Физические величины. Справочник. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова М.: Энергоатомиздат,1991.
- 13. Кристи Р., Питти А. Строение вещества: введение в современную физику. М.: Наука, 1969.
- 14. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.
- 15. Фролов Ю.Г. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: Химия, 1982.
- 16. Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Г. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 10. С. 1260.
