ОФНРадиотехника и электроника Journal of Communications Technology and Electronics

  • ISSN (Print) 0033-8494
  • ISSN (Online) 3034-5901

Особенности образования и роста тонких пленок золота на поверхности арсенида галлия при термическом испарении в вакууме

Код статьи
10.31857/S0033849423050030-1
DOI
10.31857/S0033849423050030
Тип публикации
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Том/ Выпуск
Том 68 / Номер выпуска 5
Страницы
461-469
Аннотация
Проведены исследования изменения морфологии и структуры поверхности GaAs при осаждении пленки Au путем термического испарения в вакууме. Обнаружено, что осаждение пленки Au с участием потока частиц и света от разогретого испарителя вызывает возникновение фотоэффектов в приповерхностных слоях GaAs, включая дифракцию света на поверхностных акустических волнах, рост вискеров и эмиссию электронов, что приводит к образованию микротрещин на поверхности GaAs и росту кристаллитов GaAs. Показано, что структура и состав границ пленки Au и поверхности GaAs зависят от концентрации электронов в арсениде галлия, что в конечном итоге определяет свойства электрофизических параметров контактов Au – GaAs.
Ключевые слова
Дата публикации
16.09.2025
Год выхода
2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
10

Библиография

  1. 1. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высш. шк., 1987.
  2. 2. Гладков С.О. Физика композитов. Термодинамические и диссипативные свойства, М.: Наука, 1999.
  3. 3. Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Марков И.А., Тен Ю.А. // Журн. радиоэлектроники. 2019. № 6. http://jre.cplire.ru/jre/jun19/9/text.pdf.
  4. 4. Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Любченко В.Е. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. № 2. С. 196.
  5. 5. Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Любченко Д.В. и др. // РЭ. 2009. Т. 54. № 5. С. 621.
  6. 6. Lioubtchenko D.V., Briantseva T.A., Lebedeva Z.M. et al. // Defect and Diffusion Forum. 2001. V. 194–199. P. 745.
  7. 7. Брянцева Т.А., Марков И.А., Тен Ю.А. // РЭ. 2021. Т. 66. № 5. С. 490.
  8. 8. Физический энциклопедический словарь. М.: Сов. энциклопедия, 1983.
  9. 9. Laser Annealing of Semiconductors / Eds. by J.M. Poate, J.W. Mayer. N. Y.: Academic, 1982.
  10. 10. Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988.
  11. 11. Брянцева T.А., Любченко В.Е., Юневич Е.О. // РЭ. 1987. Т. 10. № 11. С. 2231.
  12. 12. Физические величины. Справочник. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова М.: Энергоатомиздат,1991.
  13. 13. Кристи Р., Питти А. Строение вещества: введение в современную физику. М.: Наука, 1969.
  14. 14. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.
  15. 15. Фролов Ю.Г. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: Химия, 1982.
  16. 16. Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Г. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 10. С. 1260.
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека